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Vishay為其第七代 1200 V FRED Pt 超快恢復整流器平臺推出新品

Vishay為其第七代 1200 V FRED Pt 超快恢復整流器平臺推出新品

器件降低開關損耗并提高效率，Qrr 低至105 nC，VF 低至 1.45 V，結電容低，恢復時間短日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款采用eSMP®系列SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通過AEC-Q101認證... （來源：新品頻道）

VishayFRED Pt 2025-9-30 14:12

是德科技推出兩款頻率擴展器及校準套件，將寬帶矢量網絡分析儀頻率擴展至250 GHz

是德科技推出兩款頻率擴展器及校準套件，將寬帶矢量網絡分析儀頻率擴展至250 GHz

新型矢量網絡分析儀配件加速1.6/3.2 Tb/s器件及新一代半導體的設計與驗證是德科技（NYSE: KEYS ）宣布推出兩款新型毫米波頻率擴展器模塊：高達170 GHz的NA5305A頻率擴展器與高達250 GHz的NA5307A頻率擴展器，以及85065A 0.5毫米精密校準套件。配合是德科技PNA/PNA-X矢量網絡分析儀及N5292A測試控制... （來源：新品頻道）

是德科技擴展器校準套件 2025-9-12 15:22

基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法

基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法

摘要：以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實... （來源：技術文章頻道）

刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24

Nexperia推出車規級平面肖特基二極管，采用節省空間的CFP2－HP封裝

Nexperia推出車規級平面肖特基二極管，采用節省空間的CFP2－HP封裝

在保持小尺寸的同時，提供出色的散熱性能 Nexperia今日宣布推出采用CFP2-HP封裝的全新產品組合，包含16款優化低VF平面肖特基二極管。新產品組合包含八款工業級產品（例如PMEG6010EXD）和八款通過AEC-Q101認證的產品（例如PMEG4010EXD-Q）。本次產品發布是為了支持制造商用更小尺寸的CFP封裝器件取代... （來源：新品頻道）

Nexperia肖特基二極管 2025-5-7 12:01

MOSFET選型注意事項及應用實例

MOSFET選型注意事項及應用實例

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二... （來源：技術文章頻道）

MOSFET 2025-4-28 09:38

IGBT并聯設計指南，拿下！

IGBT并聯設計指南，拿下！

大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。本白皮書將探討IGBT并聯的技術要點... （來源：技術文章頻道）

IGBT 并聯設計 2025-4-21 10:03

Nordic Semiconductor nPM2100 PMIC將助力開發人員提升非充電電池項目設計

Nordic Semiconductor nPM2100 PMIC將助力開發人員提升非充電電池項目設計

現已向開發人員提供 nPM2100 評估套件、軟件和技術文檔全球領先的低功耗無線連接解決方案供應商Nordic Semiconductor已推出用于設計開發的nPM2100電源管理集成電路(PMIC)。自今年 1 月推出該器件以來，早期客戶已開始將其設計到從個人健康監測到無線工業傳感器的各種原電池應用中。現在，所有產品開發... （來源：新品頻道）

NordicnPM2100電源管理集成電路(PMIC) 2025-4-1 10:20

是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現動態測試

是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現動態測試

• 無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性• 是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試• 寄生功率回路電感小于10nH，實現干凈的動態測試波形是德科技（NYSE: KEYS ）增強了其雙脈沖測試產品組合，使客戶能夠從寬禁帶（WBG）功... （來源：新聞頻道）

是德科技寬禁帶半導體裸片動態測試 2025-3-21 15:00

Nexperia推出采用行業領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

Nexperia推出采用行業領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.... （來源：新品頻道）

Nexperia頂部散熱封裝技術碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-3-20 15:02

IGBT的并聯知識點梳理：靜態變化、動態變化、熱系數

IGBT的并聯知識點梳理：靜態變化、動態變化、熱系數

大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些，才能... （來源：技術文章頻道）

IGBT并聯器件 2025-1-21 14:05

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