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GaN正在加速電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用

GaN正在加速電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用

無刷直流電機(jī)（BLDC）在機(jī)器人、電動工具、家電和無人機(jī)中的應(yīng)用越來越多。這些應(yīng)用要求設(shè)備具備輕便、小巧、低轉(zhuǎn)矩脈動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，驅(qū)動電機(jī)的逆變器需要以更高頻率運(yùn)行，同時需要先進(jìn)的技術(shù)來減少由此產(chǎn)生的更高功率損耗。氮化鎵（GaN）晶體管和集成電路能夠在不顯著... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN 電機(jī)驅(qū)動 2024-7-10 15:02

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC−Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第... （來源：技術(shù)文章頻道）

柵極環(huán)路電感 IGBT SiC 2024-4-2 10:37

汽車 GaN FET 專為 HEV／EV 的高頻和魯棒性而設(shè)計

汽車 GaN FET 專為 HEV／EV 的高頻和魯棒性而設(shè)計

電動汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 正在經(jīng)歷快速變化，它允許消費者直接通過家里或公共或商業(yè)網(wǎng)點的交流電源為電池充電。提高充電速率的需要導(dǎo)致功率水平從 3.6 kW 增加到 22 kW，但與此同時，OBC 必須安裝在現(xiàn)有的機(jī)械外殼內(nèi)，并始終由汽車攜帶，而不影響行駛里程。，有人提出將 OBC 功率密度從 4 kW/L ... （來源：技術(shù)文章頻道）

汽車 GaN FET HEV／EV 2024-1-2 10:43

采用 GaN ePower IC 的動力轉(zhuǎn)向

采用 GaN ePower IC 的動力轉(zhuǎn)向

在現(xiàn)代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使得無輔助轉(zhuǎn)向變得不切實際，因為對操作員的阻力增加了；因此，幾年前，采用了動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。起初，對駕駛員的輔助是通過液壓系統(tǒng)完成的，并使用始終運(yùn)行的泵為回路中使用的液體提供必要的壓力。然而，政府減少排放的呼吁要求汽車制造商轉(zhuǎn)向電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN ePower IC 動力轉(zhuǎn)向 2023-3-29 10:16

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E−mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋... （來源：新品頻道）

納芯微GaNNSD2621和NSG65N15K 2023-2-6 09:46

60W輔助電源1700V SiC MOSFET

60W輔助電源1700V SiC MOSFET

輔助電源是電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源，為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)扇、SELV 電路等供電。在這些應(yīng)用中，電源的電流隔離是一個常見的要求，功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化，它還應(yīng)該能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)... （來源：技術(shù)文章頻道）

SiC MOSFET 單開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器 2022-8-4 09:31

集成驅(qū)動器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘在這里~

集成驅(qū)動器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘在這里~

如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN電源系統(tǒng) 集成驅(qū)動器 MOSFET器件 2022-3-1 11:17

輔助電源的工作原理和輸出電路設(shè)計

輔助電源的工作原理和輸出電路設(shè)計

輔助電源是電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源，為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)扇、SELV 電路等供電。在這些應(yīng)用中，電源的電流隔離是一個常見的要求，功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化，它還應(yīng)該能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)... （來源：技術(shù)文章頻道）

輔助電源電路設(shè)計 2022-2-18 09:43

GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成消除了共源電感

GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成消除了共源電感

作者: 德州儀器設(shè)計工程師謝涌；設(shè)計與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN晶體管共源電感驅(qū)動器 2022-1-27 10:47

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方面的改進(jìn)外，GaN技術(shù)具有將多個器件集成在同一襯底上的本征特性，這將極有可能給電源轉(zhuǎn)換市場帶有巨大影響。這種能力將使單片電源系統(tǒng)能夠以更簡單，更高效，更具成本效益的方式在單個芯片... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN芯片電源轉(zhuǎn)換 2021-8-16 14:28

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