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至信微電子最新推出的ED3封裝2000V/600A高壓SiC MOSFET功率模塊，采用第三代SiC MOSFET芯片技術，集成了SiC二極管，在高溫環境下表現出卓越的導通電阻RDS(on)與二極管正向壓降(VSD)。該模塊具備更快的開關響應、更高的工作效率、更優的系統可靠性以及更出色的功率轉換效率，廣泛適用于高頻應用場景，并... （來源：新品頻道）
至信微電子ED3MOSFET 2025-9-15 11:10
隨著技術進步，對更智能、更強效電力解決方案的需求與日俱增。軌道交通、可再生能源及航空領域的高壓直流（HVDC）系統正在不斷突破性能極限。 高壓系統可顯著降低配電網絡中的電阻損耗。根據焦耳定律（P_loss = I²×R），電阻損耗與電流平方成正比。通過提升電壓等級來降低工作... （來源：技術文章頻道）
高壓測試 安全 高壓直流 泰克 2025-8-27 10:36
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統Si器件已逼近材料極限，成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性，可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統成本，特別適... （來源：技術文章頻道）
車載電驅RIGOL功率半導體 2025-7-31 10:20
新供應中心將作為SuperX自有品牌核心產品的區域集成與交付樞紐，預計每年產能達一萬臺高性能AI服務器的交付能力，以快速響應日本及周邊市場需求 Super X AI Technology Limited（納斯達克代碼：SUPX）（以下簡稱"公司"或"SuperX"），一家領先的AI基礎設施解決方案提供商，今日宣... （來源：新聞頻道）
SuperXAI 2025-7-29 09:36
陳雋恒 Vicor汽車業務開發部高級經理 電氣化帶來的經濟效益和生活質量提升推動了高壓（HV）至 48V DC-DC 轉換技術在眾多市場中的應用。隨著電池電壓的增加，集成高壓至48V轉換的電源模塊在電動汽車和其他應用中變得越來越普遍。了解雙向固定比率母線轉換器模塊如何優化這些系統中的供電。 在多... （來源：技術文章頻道）
PDN電源模塊轉換器 2025-7-4 14:35
基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
在2025年，AI浪潮持續洶涌澎湃，熱度不斷攀升。如今，大模型的參數規模愈發龐大，令人咋舌，其訓練周期更是從以往的月級別大幅壓縮至周級別。與此同時，ChatGPT、Sora、Grok等一系列生成式AI應用競相涌現，層出不窮，使得“AI服務器”的算力競爭迅速成為全球眾多科技廠商激烈角逐的焦點。 ... （來源：技術文章頻道）
算力 AI服務器電源測試 2025-6-6 16:09
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有獨特的物理和電性特性，其能帶間隔是硅的 2.8 倍，絕緣擊穿場強為硅的 5.3 倍，導熱率為硅的 3.3 倍，這些特性使得碳化硅肖特基二極管能夠在高電壓、高頻率和高溫條件下穩定運行，在功率器件領域展現出巨大潛力。 魯晶半導體推出5000V SiC SBD，主要應用在電力... （來源：新品頻道）
魯晶半導體碳化硅肖特基二極管 2025-6-3 15:26
TI 技術將助力 NVIDIA 未來面向下一代 AI 數據中心的 800V 高壓直流配電系統 前沿動態 德州儀器 (TI) 今日宣布，正與英偉達 (NVIDIA) 合作開發用于數據中心服務器 800V 高壓直流 (HVDC) 配電系統的電源管理和傳感技術。這一全新電源架構將助力下一代 AI... （來源：新聞頻道）
德州儀器英偉達AI 2025-5-29 11:15
隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業關注的焦點。 目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... （來源：技術文章頻道）
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
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