电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設為首頁網站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發板
數據中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫療及看護| 通信及物聯網| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 205 條關于“GAA”的信息，用時:0.052 sec.

三星宣布與 Arm 合作，以 GAA 代工技術優化下一代 Cortex－X CPU 內核

三星電子旗下芯片代工部門宣布與 Arm 合作，共同開發、優化下一代 Cortex-X 核心。據介紹，此次合作涉及通過使用 Arm 最新 Cortex-X 設計和三星 GAA 工藝，旨在提升 CPU 性能和能效表現。也就是說，Arm 下一代 Cortex-X 系列 CPU 架構將針對三星電子的 Gate-All-Around（GAA）芯片制造技術進行優化，這...
三星ArmGAACortex－X CPU 內核 2024-02-21

追趕臺積電，三星計劃 2025 年開始大規模生產基于 GAA 的 2nm 芯片

據 BusinessKorea 報道，三星電子正計劃通過在未來三年內打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝來追趕世界第一大代工公司 —— 臺積電。據悉，GAA 是下一代工藝技術，改進了半導體晶體管的結構，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，而不是目前 FinFET 工藝的三面，GAA 結構可以比 FinFET 工藝更精...
三星GAA2nm 2022-06-20

如何抑制GAA寄生溝道？微電子所給出方案

作為GAA制造流程的一環，子鰭可能引發寄生溝道效應等副作用，導致GAA晶體管的器件性能下降。為此，中科院微電子所先導工藝研發中心團隊開發了縮窄子鰭的工藝改進方案，可有效改善寄生溝道帶來的電特性衰減，有望應用于亞3nm先進制造工藝節點。研究背景與傳統平面器件相比，3D FinFET器件具...
GAA晶體管GaA 2021-12-08

三星沖刺3nm GAA制程，代工相關的流程設計工具已推出

三星正在奮力沖刺3nm制程，希望借此進一步縮小與臺積電的差距。最新的信息顯示，三星旗下晶圓代工事業部門已和全球電子設計自動化（EDA）巨頭Cadence合作推出了3nm制程相關開發工具，加速相關先進制程開發的軟件程序。相較之下，臺積電與EDA廠商于5月推出了3nm相關開發工具，三星正以三至四個月的差距緊...
三星3nm GAA 2021-09-10

業內曝三星 3nm GAA 存在漏電等關鍵技術問題，難與臺積電匹敵

據業內人士透露，三星電子的 3nm GAA 工藝目前仍面臨著漏電等關鍵技術問題，消息人士稱，該工藝在性能和成本方面可能也不如臺積電的 3nm FinFET 工藝。據《電子時報》報道，上述人士表示，三星可能最早于 2022 年將其 3nm GAA 工藝量產，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺積電 3nm FinFE...
三星3nm GAA臺積電 2021-08-30

三星：3nm GAA技術已領先，取代臺積電指日可待！

三星電子決心要趕在臺積電前，將新一代3nm GAA制程技術商業化。據Business Korea報道，三星Device Solution事業部技術負責人Jeong Eun-seung于25日在線上召開的三星科技暨事業論壇（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我們的GAA制程開發進度領先主要競爭對手（臺積電），若能確實鞏固技術，...
三星3nm GAA 2021-08-27

新思科技與三星合作，加速推廣變革性3納米GAA技術

· 環繞式柵極 (GAA) 晶體管架構為滿足功耗和性能敏感型設計的苛刻需求提供了全新的機會和更高的自由度 · 基于雙方的深度研發合作和探索，新思科技與三星實現了以GAA為核心的功耗優化技術關鍵創新，能夠確保領先的PPA和...
新思科技三星3納米GAA 2021-07-07

首發GAA晶體管技術，三星3nm工藝成功流片

目前全球已量產的最先進工藝是5nm，臺積電明年就要量產3nm工藝，不過3nm節點他們依然選擇FinFET晶體管技術，三星則選擇了GAA技術，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，邁出了關鍵一步。在3nm節點，三星比較激進，直接選擇了下一代工藝技術——GAA環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（...
GAA晶體管三星3nm 2021-06-30

實現5nm以下制程的關鍵技術：復旦教授成功攻克GAA晶體管技術

來自“復旦大學微電子學院”的消息顯示，該校周鵬團隊針對具有重大需求的3nm至5nm節點晶體管技術，驗證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2nm的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現了高驅動電流和低泄漏電流的融合統一，為高性能低功耗電子器件的發展提供了新的技術途徑。據悉，相關成果已經在...
5nmGAA晶體管 2020-12-18

5nn重奪領導地位 Intel將在2023年推出5nm GAA工藝

Intel之前已經宣布在2021年推出7nm工藝，首發產品是數據中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節點會放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管。隨著制程工藝的升級，晶體管的制作也面臨著困難，Intel最早在22nm節點上首發了FinFET工藝，當時叫做3D晶體管，就是將原本平面...
GAA晶體管5nm GAA工藝 2020-03-11

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 下一頁 21

關鍵字搜索分類查看

新聞(91)

新品(5)

技術文章(20)

論壇帖子(10)

博客日志(79)

主站蜘蛛池模板：洛隆县| 汤阴县| 博白县| 津市市| 高碑店市| 大港区| 浮山县| 睢宁县| 浮山县| 绥芬河市| 德格县| 敦煌市| 鹰潭市| 万盛区| 凤城市| 合水县| 柯坪县| 和田市| 和静县| 福清市| 周宁县| 墨脱县| 丹江口市| 同德县| 天祝| 武穴市| 霞浦县| 大荔县| 平顶山市| 宁晋县| 道真| 公主岭市| 宕昌县| 崇州市| 鹰潭市| 肇源县| 通州市| 沁阳市| 梓潼县| 揭东县| 南乐县|