前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
“為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿（New Benchmark）”，一向保守的Power Integrations（PI）罕見用這么富有沖擊力的標(biāo)題來發(fā)表一顆新品IC——1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux2，采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款，也是唯一一顆1700V氮化鎵開關(guān)IC。在幾天前的投資者會(huì)議上，CEO Balu Balakrishnan特... （來源：新聞?lì)l道）
氮化鎵 碳化硅 InnoMux2 2024-11-12 09:47
本文要點(diǎn)• 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。• 氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。• 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的... （來源：技術(shù)文章頻道）
氮化鎵 GaN Cadence 2024-7-3 11:02
長期以來，寬禁帶行業(yè)一直圍繞兩種不同架構(gòu)氮化鎵晶體管爭論高下——常閉耗盡型 （D-mode）和增強(qiáng)型（E-mode）氮化鎵。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，人們傾向于使用增強(qiáng)型（E-mode）晶體管，但其實(shí)無論從性能、可靠性、多樣性、可制造性以及實(shí)際用途方面，常閉型（D-mode）都更優(yōu)于前者。 D-mode G... （來源：新聞?lì)l道）
氮化鎵晶體管2DEGSuperGaN 2024-6-26 17:08
GaN 是一種二元化合物，由一個(gè)鎵原子（III 族，Z = 31）和一個(gè)氮原子（V 族，Z = 7）組成，具有纖鋅礦六方結(jié)構(gòu)。鎵原子和氮原子通過非常強(qiáng)的離子化學(xué)鍵結(jié)合在一起，從而產(chǎn)生很大的能帶隙。這一特性使 GaN 非常穩(wěn)定，非常適合在高溫和惡劣環(huán)境下工作。用這種技術(shù)制造的晶體管（通常具有橫向結(jié)構(gòu)）稱為高... （來源：技術(shù)文章頻道）
GaN 晶體管 2024-6-26 09:57
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行的惡劣環(huán)境可能會(huì)因逆變器擊穿和電機(jī)繞組絕緣擊穿等故障情況而導(dǎo)致過流水平。功率器件需要在保護(hù)檢測電路觸發(fā)和關(guān)閉電機(jī)驅(qū)動(dòng)所需的時(shí)間內(nèi)承受這些事件。SC 事件通常具有以下特征：高漏極電壓 (V DS ) 和漏極電流 (I DS )的組合。在這種情況下流動(dòng)的電流是器件的飽和電流(I DSAT )。電流密... （來源：技術(shù)文章頻道）
GaN HEMT 功率器件 2024-5-15 09:43
作者: 付斌SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）作為第三代半導(dǎo)體材料兩大代表，在市場應(yīng)用中愈發(fā)具備自己的特色。許多公司為了布局更全的產(chǎn)線，發(fā)揮二者的專長，均采用“Si+SiC+GaN”的策略，打造三代半功率器件“雙料冠軍”。羅姆半導(dǎo)體（ROHM）作為功率器件的領(lǐng)先廠商，產(chǎn)品不僅涵蓋IGBT、SJ-MOSFET、SBD、... （來源：新聞?lì)l道）
GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 羅姆 2024-1-26 09:46
高保真聲音再現(xiàn)發(fā)燒友是氮化鎵（GaN）基本質(zhì)量的最新受益者，因?yàn)樗惯@些發(fā)燒友在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中得到了喘息。GaN解決了他們關(guān)于最佳家庭音頻設(shè)置構(gòu)成的難題。音頻放大器的基本類別是A類，AB類和B類，它們利用其晶體管的線性區(qū)域，同時(shí)嘗試以最小的失真來重建完美的輸入音頻信號。已經(jīng)表明，這種設(shè)計(jì)... （來源：技術(shù)文章頻道）
GaN D類放大器 音頻放大器 2024-1-9 10:30
作者：Bill Schweber我得承認(rèn)一件事。我在電子行業(yè)工作多年，既是一名電路設(shè)計(jì)師，也是一名編輯。我發(fā)現(xiàn)包括我在內(nèi)的大多數(shù)工程師對半導(dǎo)體材料、工藝和制造技術(shù)的深層細(xì)節(jié)并不感興趣。當(dāng)然，有些人是為了每年的國際固態(tài)電路會(huì)議 (IEEE ISSCC) 而不懈努力，他們關(guān)心工藝細(xì)節(jié)和創(chuàng)新，他們的工作非常之重要... （來源：技術(shù)文章頻道）
GaN HEMT 電源效率 2024-1-3 11:03
相信你們在設(shè)計(jì)電路中經(jīng)常會(huì)碰到有時(shí)序要求的電路，比如說FPGA數(shù)字電路的供電，比如我們給模擬放大器的供電，等等。通常來說，我們有sequencers這種產(chǎn)品，其中又分為模擬時(shí)序控制芯片和數(shù)字時(shí)序控制芯片；模擬時(shí)序控制芯片，將電源輸出電壓作為輸入信號，實(shí)時(shí)監(jiān)測電源輸出，當(dāng)電源輸出達(dá)到閾值時(shí)，會(huì)給... （來源：技術(shù)文章頻道）
LDO的放大器 ADM1085 2023-10-25 11:32
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設(shè)計(jì)卻必須在性能上做出妥協(xié) 氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè) Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最... （來源：新聞?lì)l道）
Transphorm技術(shù)白皮書氮化鎵晶體管 2023-10-19 11:17
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機(jī)中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到23條【2DEG】相關(guān)的全部。
GaN HEMT 功率器件 2024-5-15 09:43
查看關(guān)鍵詞的分類頻道
中電網(wǎng)官方微博