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全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，憑借其在高功率應用領域氮化鎵（GaN）加工技術方面的專業優勢，X-FAB基于其XG035技術平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）代工服務。此舉進一步發揮和強化了X-FAB作為專業純晶圓代工企業... （來源：新聞頻道）
X FABGaN on Si代工服務 2025-9-5 14:31
作者：安森美 在科技演進浪潮中，能源技術已逐漸成為現代產業發展的核心驅動力。從移動設備到云服務器，從電動車到智慧城市，科技產品日益強調效能、速度與可持續能源的平衡，而這一切的背后都需要更高效、更穩定的電源轉換技術。 隨著各種應用對能源效率與功率密度的要求不斷提高，傳... （來源：技術文章頻道）
iGaN適配器安森美 2025-8-22 12:09
作者：安森美 碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... （來源：技術文章頻道）
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
D類音頻功率放大器以其高效性得到廣泛使用，主導了現代音頻領域。然而也有其局限性，當前的D類音頻系統雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰。 傳統的D類功放芯片是功率管采用于硅基晶體管（特別是MOSFET）。它們在實現D類放大器所需的快速開關速度和低導通電阻方面存在困難。隨著對更高頻率和電壓的... （來源：技術文章頻道）
ACM8816 單聲道數氮化鎵音頻功率放大器 2025-7-25 13:14
支持新國標GB20943-2025能耗管理標準，內置第三代半導體的新材料應用設計 MPS芯源系統（NASDAQ代碼：MPWR）近期發布了兩款新產品：NovoOne開關MPXG2100系列和PFC穩壓器MPG44100系列，旨在為快速發展的快速充電市場、工業系統和消費電子產品提供高集成度、高性能和經濟高效的解決方案。 單極反... （來源：技術文章頻道）
MPSACDC 2025-6-26 15:32
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。 STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業應用的能效、功率密度和魯棒性。 ... （來源：新品頻道）
意法半導體半橋驅動器STDRIVEG610STDRIVEG611 2025-5-29 11:03
隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業關注的焦點。 目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... （來源：技術文章頻道）
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 ... （來源：新品頻道）
ROHMGaN器件隔離型柵極驅動器IC 2025-5-27 16:04
作者：Prasad Paruchuri，安森美技術營銷部 隨著技術的不斷進步，我們如今能夠研發出比以往更緊湊、功率更大、使用壽命更長且充電速度更快的電池。 在道路上，由電池驅動的車輛數量日益增多。在家庭中，從手持電動工具到割草機，各類設備都已實現無線化。在建筑領域，錘鉆、沖擊扳手、... （來源：技術文章頻道）
電池供電安森美 2025-5-23 11:55
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