全球領(lǐng)先的技術(shù)分銷商和解決方案提供商安富利將于9月19日至11月6日舉辦 “新能源技術(shù)創(chuàng)新云會(huì)展” 。聚焦新能源主題，安富利將攜手供應(yīng)商及合作伙伴全面展示業(yè)界在新能源汽車和新能源工業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新成果，共創(chuàng)綠色低碳未來。此次線上云會(huì)展是繼去年 “安富利人工智能云會(huì)展” 取得圓滿成功基礎(chǔ)上的又一... （來源：新聞?lì)l道）
安富利 新能源 2022-9-19 14:29
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。 IGBT驅(qū)動(dòng)器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器STGAP2SICD 利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止... （來源：新品頻道）
意法半導(dǎo)體SiCIGBT開關(guān)電路STGAP2HD STGAP2SICD 2022-2-15 17:02
On Semi公司的NCV51705/D是單路6A高速低邊SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器,為了獲得最低可能導(dǎo)通損耗,驅(qū)動(dòng)器能向SiC MOSFET器件提供最大可用柵極電壓.通過在開通和關(guān)斷時(shí)提供高峰值電流,開關(guān)損耗也是最小化.為了提高可靠性, dV/dt免疫性和甚至更快地關(guān)斷, NCP51705能利用車載充電泵來產(chǎn)生用戶可選擇的負(fù)電源軌.為了完... （來源：解決方案頻道）
汽車電子車載充電器(OBC)SiC MOSFET On SemiNCV51705／D 2021-9-15 14:42
Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1是雙路SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì),是開源解決方案,提供了用戶友好的設(shè)計(jì)指南,使得用戶采用MicrosemiSiC MOSFET能更快地走向市場(chǎng).參考設(shè)計(jì)還支持過度到下代SiC MOSFET,新的參考設(shè)計(jì)為用戶提供了高度絕緣的SiC MOSFET雙柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān),用作評(píng)估各種拓?fù)渲蠸iC MOSFET的方法.這... （來源：解決方案頻道）
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 2019-9-3 11:42
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日– 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19... （來源：新聞?lì)l道）
工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器 高溫柵極驅(qū)動(dòng)器 2019-7-16 16:20
On Semi公司的CP51705是單路6A高速低邊SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器,源電流和沉電流6A,為了獲得最低的導(dǎo)通損耗,驅(qū)動(dòng)器能對(duì)SiC MOSFET提供最大限度的柵極電壓,主要用在驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件,工業(yè)逆變器,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器以及PFC,AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/DC轉(zhuǎn)換器.本文介紹了CP51705主要特性,框圖和應(yīng)用電路,以及評(píng)估板EVBU... （來源：解決方案頻道）
電源管理SiC MOSFETAC／DC轉(zhuǎn)換器DC／DC轉(zhuǎn)換器馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 2018-6-26 10:43
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