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↓在全部中搜索到 17 條關于“GAAFET”的信息，用時:0.035 sec.

巔峰對決：三大頂流半導體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰？

圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。在代工行業，采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年...
GAA芯片技術CMOS工藝 2022-11-28

GAA FET將為2nm、3nm發展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

三星3nm制程2022年量產，將與臺積電齊頭并進

據彭博社報道，三星電子正向下一代芯片業務投入1160億美元，其中包括晶圓代工，押注其最終可以在兩年后縮小與臺積電的差距。該韓國巨頭將在2022年大規模生產3nm芯片，其晶圓代工部門一位高管在上月的一次僅受邀活動上告訴與會者。這一目標此前尚未公布，這意味著，它有望開始生產業內最先進的...
三星3nm 2020-11-18

臺積電2nm工藝獲重大突破

如今5nm才剛剛量產不久，臺積電的技術儲備就已經進展到了2nm，并朝著1nm邁進。根據最新報道，臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年就能步入量產階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差...
臺積電2nm 2020-11-18

臺積電 2024 年將量產突破性的 2nm 工藝晶體管

據 wccftech 報道，臺灣半導體制造公司（TSMC）在 2nm 半導體制造節點的研發方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進入 2nm 工藝的試生產階段，并于一年后開始批量生產。目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設備構建處理器。臺積電的 2nm...
臺積電2nm 2020-09-25

臺積電2nm工藝重大突破 2023年風險試產良率或達90％

據臺灣經濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。供應鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。據悉，臺積電去年成立了2nm專案研發團隊，尋找可行路徑...
臺積電2nm 2020-09-23

三星半導體：下半年會量產7nm EUV工藝 3nm最早2021年投入量產

在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布采用5／4／3nm工藝技術。根據Tom＇s Hardware今天的新聞，根據三星高管所說，他們今年下半年會量產7nm EUV工藝，2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使...
GAA工藝三星半導體EUV工藝 2019-01-14

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