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應(yīng)用開發(fā)

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↓在全部中搜索到 202 條關(guān)于“2nm”的信息，用時:0.027 sec.

臺積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構(gòu)

今日，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組、中國集成電路設(shè)計創(chuàng)新聯(lián)盟共同主辦, 中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、無錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院智能集成電路設(shè)計技術(shù)研究所、國家集成電路設(shè)計（無錫）產(chǎn)業(yè)化基地、...
5nm臺積電汽車電子 2021-12-22

IBM中國揭秘首款2nm芯片：最小元件比DNA單鏈還要小

11月25日消息，IBM中國近日發(fā)布一段題為《YYDS！IBM發(fā)布全球首個2nm芯片》的視頻，對于IBM的2nm芯片進行了介紹。今年5月初，IBM正式發(fā)布了全球首個2nm制程的芯片。根據(jù)其公布的資料顯示，憑借其2nm的供應(yīng)，IBM成功將約500億個晶體管容納在指甲大小的芯片上。而如果以指甲面積約150平方毫米來計算，IB...
IBM芯片 2021-11-26

英特爾3nm晶體管密度曝光：超越臺積電2nm，碾壓IBM 2nm

眾所周知，臺積電和三星早在去年就已經(jīng)量產(chǎn)了5nm制程工藝，相比之下英特爾還停留在10nm制程，其最新的7nm工藝今年一季度才正式流片，可能要等到2023年才能面世。這里需要指出的是，雖然臺積電和三星的“5nm”制程工藝的數(shù)字要比英特爾的“7nm”制程工藝更小，但是這并不代表英特爾的7nm制程工藝要落后...
英特爾3nm晶體管 2021-07-15

IBM 發(fā)布全球首個 2nm 芯片制造技術(shù)，較 7nm 速度快 45%，能效高 75%

據(jù)報道，IBM 昨日發(fā)布了全球首個 2 納米芯片制造技術(shù)。與當(dāng)前許多筆記本電腦和手機中使用的主流 7 納米芯片相比，2 納米芯片計算速度要快 45%，能效高 75%。 IBM 曾是一家主要的芯片制造商，現(xiàn)已將其大量芯片生產(chǎn)外包給三星電子。但在紐約州奧爾巴尼（Albany）仍保留著一個芯片制造研究中心。該中...
IBM2nm 2021-05-07

歐盟加入芯片制造大戰(zhàn)，目標(biāo)2030年拿下全球20%份額，先進制程達到2nm！

歐盟于當(dāng)?shù)貢r間9日正式發(fā)布了《2030 Digital Compass: the European way for the Digital Decade（2030數(shù)字指南針：數(shù)字十年的歐洲方式）》計劃，設(shè)定了11項先進技術(shù)發(fā)展目標(biāo)，其中就包括在2030年前實現(xiàn)先進芯片制造全球占比達到20%；先進制程達到2nm，能效達到目前的1o倍；五年內(nèi)自行打造首部量子電腦...
臺積電歐盟芯片制造 2021-03-11

GAA FET將為2nm、3nm發(fā)展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節(jié)點的新型全柵場效應(yīng)晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎(chǔ)，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

歐洲重燃半導(dǎo)體雄心，20國計劃建2nm晶圓廠

歐洲又再次重燃在先進半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的雄心。經(jīng)過過去的幾次嘗試后，最近又有19個歐盟成員國簽署了一項聯(lián)合聲明，以“加強歐洲開發(fā)下一代處理器和半導(dǎo)體的能力”進行合作。其中包括為各行各業(yè)的特定應(yīng)用提供最佳性能的芯片和嵌入式系統(tǒng)，以及逐漸向處理器技術(shù)的2nm節(jié)點發(fā)展的領(lǐng)先制造技術(shù)。”...
歐洲半導(dǎo)體 2021-02-04

半導(dǎo)體制程之爭，臺積電大捷，劍指2nm

臺積電2納米制程研發(fā)獲重大突破。供應(yīng)鏈透露，有別于3納米與5納米采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺積電2納米改采全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好2023年下半年風(fēng)險性試產(chǎn)良率即可達九成，助攻未來持續(xù)拿下蘋果、輝達等大廠先進制程大單，狠甩三星。半導(dǎo)...
臺積電2nm 2020-09-21

環(huán)繞閘極技術(shù)讓臺積電2nm越來越近

臺積電沖刺先進制程，在2納米研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入GAA（環(huán)繞閘極）技術(shù)，為臺積電發(fā)展鰭式場效電晶體（FinFET）取得全球絕對領(lǐng)先地位之后，邁向另一全新的技術(shù)節(jié)點。盡管勁敵三星已早一步切入GAA，臺積電仍有信心以2納米切入GAA技術(shù)，在全球晶圓代工市場持續(xù)維持絕對領(lǐng)先地位。這...
臺積電2nm 2020-07-14

2021年ASML將推下一代EUV光刻機面向2nm、1nm工藝

作為全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機的公司，荷蘭ASML公司去年出售了26臺EUV光刻機，主要用于臺積電、三星的7nm及今年開始量產(chǎn)的5nm工藝，預(yù)計今年出貨35臺EUV光刻機。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結(jié)構(gòu)相同，但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計，維護更加便捷，平均維修時間將從...
EUV光刻機5nm工藝 2020-02-18

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