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至信微電子最新推出的ED3封裝2000V/600A高壓SiC MOSFET功率模塊，采用第三代SiC MOSFET芯片技術，集成了SiC二極管，在高溫環境下表現出卓越的導通電阻RDS(on)與二極管正向壓降(VSD)。該模塊具備更快的開關響應、更高的工作效率、更優的系統可靠性以及更出色的功率轉換效率，廣泛適用于高頻應用場景，并... （來源：新品頻道）
至信微電子ED3MOSFET 2025-9-15 11:10
納芯微正式推出車規級隔離半橋驅動芯片NSI6602MxEx系列，該系列在納芯微明星產品NSI6602基礎上，集成了米勒鉗位功能，同時兼具高隔離電壓、低延時、死區可配、欠壓閾值可選等特點，適用于驅動SiC、IGBT等器件，可廣泛應用于新能源汽車OBC、DC/DC、主動懸架等場景。 NSI6602MxEx與NSI6... （來源：新品頻道）
納芯微NSI6602MxEx驅動芯片半橋 2025-7-14 15:59
7月1日，小鵬汽車公布其最新的交付成績。2025年6月，小鵬汽車共交付新車34,611臺，同比增長224%，連續第八個月交付量突破3萬臺。這一強勁的交付表現不僅彰顯了小鵬汽車在智能電動汽車市場的強勁競爭力，也體現了消費者對其產品的高度認可。 一、交付數據亮眼，市場表現強勁 2025年第二季度，... （來源：新聞頻道）
小鵬汽車 2025-7-2 09:27
作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質量保證總監 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。 第三代寬禁帶（WBG）解... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 2025-5-16 11:03
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。 為了實現低碳社會，能夠高效電能變換的電力電子技術正在擴展到消費、工業、電氣化鐵路、汽車、太陽... （來源：技術文章頻道）
SiC模塊封裝技術 2025-2-14 11:25
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選... （來源：技術文章頻道）
高壓SIC電池斷開開關 2025-2-13 11:00
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。通過使用SiC，可實現額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件，少數載流子不會積聚，所以能夠實現極低... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 SiC芯片技術 2024-12-20 16:00
本文作者：Catherine De Keukeleire，安森美（onsemi）寬禁帶可靠性與質量保證總監從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG）解決... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 安森美 SiC 2024-12-4 14:03
從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展，電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關損耗一直是影響電力電子設備性能的關鍵因素之一，也成了人們對高效率追求路上的攔路虎。面對這一挑戰，盡管電力電子工程師們早就掌握了理... （來源：技術文章頻道）
ZVS軟開關技術 Qorvo SiC FET 2024-7-26 10:19
• 恩智浦的高壓隔離柵極驅動器系列集成到采埃孚的下一代800 V SiC電動汽車牽引逆變器解決方案中• 此次合作旨在提升電動汽車的安全、能效、續航里程和性能• GD316x產品系列帶有多項功能，可保護高壓SiC功率開關，并發揮其優勢 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票... （來源：新聞頻道）
恩智浦采埃孚SiC牽引逆變器電動汽車動力系統 2024-6-14 10:43
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