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非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設(shè)計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?

非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設(shè)計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?

作者：Kevin Thai，應(yīng)用經(jīng)理問題沒有專門用于驅(qū)動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開... （來源：技術(shù)文章頻道）

硅MOSFET設(shè)計 DC－DC控制器驅(qū)動GaNFET 2025-1-6 14:18

如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器，而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置G... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaNFET設(shè)計 LT8390A GaN DC－DC轉(zhuǎn)換器 2024-11-5 10:18

如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN器件碳化硅 2024-10-25 10:25

增強 E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

增強 E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增強模式行為，并且該技術(shù)自 2010 年代初期以來已投入商業(yè)應(yīng)用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡化了... （來源：技術(shù)文章頻道）

共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03

Allegro MicroSystems－隔離式柵極驅(qū)動器－AHV85110

Allegro MicroSystems－隔離式柵極驅(qū)動器－AHV85110

AHV85110針對驅(qū)動多種應(yīng)用和拓?fù)渲械腉aNFET進(jìn)行了優(yōu)化。一個隔離式輸出偏置電源集成在驅(qū)動器器件中，無需任何外部驅(qū)動輔助偏置電源或自舉。這大大簡化了系統(tǒng)設(shè)計，并通過降低總共模（CM）電容來降低EMI。它還允許在開關(guān)電源拓?fù)渲械娜魏挝恢抿?qū)動浮動開關(guān)。該驅(qū)動器具有快速傳播延遲和高峰值拉電流/灌電... （來源：新品頻道）

隔離室柵極驅(qū)動器開關(guān)電源EMI 2023-10-12 10:53

還在為用氮化鎵設(shè)計高壓電源犯難？試試這兩個器件

還在為用氮化鎵設(shè)計高壓電源犯難？試試這兩個器件

作者： Art Pini面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶... （來源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵電源管理 GaN FET 2023-4-6 09:43

幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點

幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分... （來源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵 GaN PCB設(shè)計柵極驅(qū)動器 2023-2-23 14:25

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計得以實現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN... （來源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵(GaN) 柵極驅(qū)動器 2022-9-15 11:25

GaN是否可靠？

GaN是否可靠？

作者：Sandeep Bahl, TI技術(shù)專家氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應(yīng)器尺寸。不過，在投資這個技術(shù)之前，您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒有人問硅(Si)是否可靠。其實仍然有新的硅產(chǎn)品持續(xù)上市，電源設(shè)計人員也同樣關(guān)注硅功率組件的可靠性。... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 2022-7-28 15:10

深入了解 GaN 技術(shù)

深入了解 GaN 技術(shù)

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個技術(shù)驅(qū)動的環(huán)境下發(fā)揮越來越重要的作用。GaN ：可靠的技術(shù)GaN 是一項久經(jīng)考驗的化合物半導(dǎo)體技術(shù)。自 20 世紀(jì) 80 年代以來，化合物半導(dǎo)體一直都是高性能應(yīng)用中... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN 技術(shù) GaN 器件 2022-3-21 15:07

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