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SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。SiC有多種穩定的晶體多型（polytype）。因此，為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型，需要將襯底的原子三維... （來源：技術文章頻道）
SiC器件 SiC外延生長技術 2024-11-7 10:41
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經過多個加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶（也稱為... （來源：技術文章頻道）
SiC單晶 晶圓制造三菱電機 2024-10-21 10:29
高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。在常壓下，不存在Si:C化學計量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長，而是采用... （來源：技術文章頻道）
SiC單晶 三菱電機 SiC功率半導體器件 2024-9-20 11:05
包頭市人民政府與合肥世紀金芯半導體有限公司正式簽署“年產70萬片 6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目”戰略合作協議。據悉，該項目由包頭·北京科創基地協助導入，計劃落地包頭市青山區裝備制造產業園區，總投資34.57億元，項目總建設周期為3年，正式投產時將建成年產70萬片6-8寸單晶襯底生產線，同時包含碳化... （來源：新聞頻道）
世紀金光6－8英寸SiC單晶襯底項目 2023-10-16 10:45
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