近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來，未來將會(huì)有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。 關(guān)鍵突破！中國電科4... （來源：新聞?lì)l道）
碳化硅碳化硅激光設(shè)備 2025-10-15 13:18
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)。SiC有多種穩(wěn)定的晶體多型（polytype）。因此，為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型，需要將襯底的原子三維... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC器件 SiC外延生長技術(shù) 2024-11-7 10:41
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經(jīng)過多個(gè)加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶（也稱為... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC單晶 晶圓制造三菱電機(jī) 2024-10-21 10:29
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。在常壓下，不存在Si:C化學(xué)計(jì)量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長，而是采用... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC單晶 三菱電機(jī) SiC功率半導(dǎo)體器件 2024-9-20 11:05
包頭市人民政府與合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司正式簽署“年產(chǎn)70萬片 6-8 英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目”戰(zhàn)略合作協(xié)議。據(jù)悉，該項(xiàng)目由包頭·北京科創(chuàng)基地協(xié)助導(dǎo)入，計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)，總投資34.57億元，項(xiàng)目總建設(shè)周期為3年，正式投產(chǎn)時(shí)將建成年產(chǎn)70萬片6-8寸單晶襯底生產(chǎn)線，同時(shí)包含碳化... （來源：新聞?lì)l道）
世紀(jì)金光6－8英寸SiC單晶襯底項(xiàng)目 2023-10-16 10:45
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