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安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... （來源：技術文章頻道）
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的... （來源：技術文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32
本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效... （來源：技術文章頻道）
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... （來源：技術文章頻道）
碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET 安森美Al并聯設計 2025-2-28 14:10
日前，安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。 據悉，SiC JFET技術的加入將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求。在電動汽車... （來源：新聞頻道）
安森美碳化硅 2025-1-21 10:08
收購Qorvo的SiC JFET業務及其子公司United Silicon Carbide，預計將在5年內為安森美帶來13億美元的市場機會安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛... （來源：新聞頻道）
安森美 碳化硅 JFET 技術 電源 2024-12-11 10:25
當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時，晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高，漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此，驅動器在跨越線性區域時將承受嚴重負載，這會導致柵極電壓保持在穩定狀態。因此，除非驅動器可以提供幾安培的電流，否則開關速度將大大減慢。如此... （來源：技術文章頻道）
開關功率晶體管 2024-9-23 10:30
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