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新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅（SiC）替代器件全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... （來源：新品頻道）
Transphorm TO－247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
新設計工具有助于加速兩輪電動車市場的產品設計，并幫助系統工程師充分利用SuperGaN FET的優勢全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和15... （來源：新聞頻道）
Transphorm 兩輪和三輪電動車電池充電器 SuperGaN FET器件 2023-12-21 16:08
新推出器件是業界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合代表著下一代電源系統未來的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN® FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通... （來源：新聞頻道）
TransphormTOLT封裝FET器件TP65H070G4RS 晶體管 2023-11-29 11:13
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
• 提供最廣泛的功率范圍：此次參展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設計將揭示 1200 V SuperGaN 器件的設計資源• 觀眾將見證 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能Transphorm, Inc. (納斯達克代碼：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 功率轉換產品的領軍企業和... （來源：新聞頻道）
Transphorm PCIM 2023 GaN 解決方案 2023-4-21 10:03
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