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↓在新聞中搜索到 269 條關(guān)于“FinFET??”的信息，用時(shí):0.003 sec.

三星：3nm GAA技術(shù)已領(lǐng)先，取代臺(tái)積電指日可待！

三星電子決心要趕在臺(tái)積電前，將新一代3nm GAA制程技術(shù)商業(yè)化。據(jù)Business Korea報(bào)道，三星Device Solution事業(yè)部技術(shù)負(fù)責(zé)人Jeong Eun-seung于25日在線上召開的三星科技暨事業(yè)論壇（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我們的GAA制程開發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先主要競爭對(duì)手（臺(tái)積電），若能確實(shí)鞏固技術(shù)，...
三星3nm GAA 2021-08-27

拋棄納米制程叫法、開啟半導(dǎo)體埃米時(shí)代：英特爾公布技術(shù)路線圖，啟動(dòng)芯片代工服務(wù)

剛剛，英特爾公布了公司有史以來最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖！除了公布其近十多年來首個(gè)全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個(gè)全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò) PowerVia 之外，英特爾還重點(diǎn)介紹了迅速采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計(jì)劃，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV。據(jù)悉，英特爾有望率先獲得...
英特爾技術(shù)路線圖芯片代工 2021-07-27

4nm量產(chǎn)已經(jīng)提上進(jìn)程：與蘋果A16芯片同一工藝

臺(tái)積電總裁魏哲家表示，4nm試產(chǎn)將按進(jìn)度本季開始，終端應(yīng)用包含智能手機(jī)與高速運(yùn)算（HPC）。其實(shí)在這之前，已經(jīng)有消息稱，高通和蘋果都已經(jīng)瞄準(zhǔn)了臺(tái)積電的4nm工藝，將讓其生產(chǎn)下一代旗艦處理器。據(jù)悉，高通有可能在2022年底推出驍龍895 Plus，它將作為驍龍895的超頻版。雖然現(xiàn)階段規(guī)格細(xì)節(jié)尚不清...
4nm 2021-07-16

放棄價(jià)值近千萬的股權(quán)？中芯國際五大核心技術(shù)人員之一離職

7月4日晚間，中芯國際發(fā)布公告稱，公司核心技術(shù)人員吳金剛博士近日因個(gè)人原因申請辭去相關(guān)職務(wù)并辦理完成離職手續(xù)。離職后，吳金剛博士不再擔(dān)任公司任何職務(wù)。目前公司的技術(shù)研發(fā)工作均正常進(jìn)行，吳金剛博士的離職未對(duì)公司整體研發(fā)實(shí)力產(chǎn)生重大不利影響。五大核心技術(shù)人員之一離職根據(jù)資料顯示，...
中芯國際 2021-07-05

首發(fā)GAA晶體管技術(shù)，三星3nm工藝成功流片

目前全球已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是5nm，臺(tái)積電明年就要量產(chǎn)3nm工藝，不過3nm節(jié)點(diǎn)他們依然選擇FinFET晶體管技術(shù)，三星則選擇了GAA技術(shù)，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，邁出了關(guān)鍵一步。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星比較激進(jìn)，直接選擇了下一代工藝技術(shù)——GAA環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（...
GAA晶體管三星3nm 2021-06-30

制程與良率，誰才是芯片廠商的競賽底牌

五月初，IBM 宣布 2nm 工藝制程取得重大技術(shù)突破引發(fā)一番熱議，提醒業(yè)界 5nm 處理器已經(jīng)大規(guī)模市場化，芯片巨頭們也已進(jìn)入下一輪制程競賽：三星披露其即將推出的 3nm 工藝將基于下一代晶體管類型全柵極（GAA）FET，臺(tái)積電也計(jì)劃將 FinFET 擴(kuò)展到 3nm，然后到 2024 年左右遷移到 2nm 的納米片 FET。一...
制程與良率 2021-06-09

泛林集團(tuán)計(jì)算產(chǎn)品部副總裁David Fried博士：晶體管與IC架構(gòu)的未來

泛林集團(tuán)計(jì)算產(chǎn)品部副總裁David Fried接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering (SE)的采訪，探討并分享他對(duì)于芯片縮放、晶體管、新型架構(gòu)和封裝等話題的看法。以下內(nèi)容節(jié)選自采訪原文。 Q1：數(shù)十年來，集成電路微縮一直是芯片制造行業(yè)推進(jìn)設(shè)計(jì)進(jìn)步的手段。但是，與之相關(guān)的成本一直在攀升，而且就...
泛林集團(tuán) 2021-06-07

臺(tái)積電宣布 4 納米制程技術(shù)將于第三季度提前試產(chǎn)，3 納米明年下半年量產(chǎn)

據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，晶圓代工龍頭臺(tái)積電今日舉辦 2021 年技術(shù)論壇，并宣布 4 納米制程技術(shù)預(yù)計(jì) 2021 年第 3 季開始試產(chǎn)，較先前規(guī)劃提早一季時(shí)間，3 納米制程則將依計(jì)劃于 2022 年下半年量產(chǎn)。今年是臺(tái)積電連續(xù)第二年采用線上形式舉行技術(shù)論壇，與客戶分享臺(tái)積公司最新的技術(shù)發(fā)展，包括支持...
臺(tái)積電 2021-06-02

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴(kuò)展其高性能內(nèi)存子系統(tǒng)產(chǎn)品

· 支持需要TB級(jí)帶寬的加速器，用于人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI / ML）訓(xùn)練應(yīng)用 · 完全集成的HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng)，由經(jīng)過驗(yàn)證的PHY和控制器組成，在先進(jìn)的Samsung 14/11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗(yàn)證 · &nb...
RambusHBM2E 2021-05-25

這款芯片將成為DRAM的替代者？

據(jù)electronicweekly報(bào)道，新加坡Unisantis Electronics推出了動(dòng)態(tài)閃存（Dynamic Flash Memory：DFM）。據(jù)介紹，這是一種比DRAM或其他類型的易失性存儲(chǔ)器更快，更密集的技術(shù)，并將有希望成為DRAM的替代者。　　報(bào)道指出，Unisantis Electronics是由閃存技術(shù)的發(fā)明者Fujio Masuoka于2008年創(chuàng)立，擁有...
晶體芯片 2021-05-20

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