電力電子器件高度依賴(lài)于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,憑借其在高功率應(yīng)用領(lǐng)域氮化鎵(GaN)加工技術(shù)方面的專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì),X-FAB基于其XG035技術(shù)平臺(tái)推出針對(duì)dMode器件的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)代工服務(wù)。此舉進(jìn)一步發(fā)揮和強(qiáng)化了X-FAB作為專(zhuān)業(yè)純晶圓代工企業(yè)... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
X FABGaN on Si代工服務(wù) 2025-9-5 14:31
5月14日,作為全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新企業(yè),BOE(京東方)攜30余款由ADS Pro、f-OLED、α-MLED三大顯示技術(shù)品牌賦能的全球首發(fā)技術(shù)新品,以及光場(chǎng)顯示、3D、微顯示、AI、傳感等一系列超臨場(chǎng)、超智能前沿技術(shù)應(yīng)用重磅亮相2025國(guó)際顯示周,技術(shù)創(chuàng)新、綠色可持續(xù)和人工智能成為此次BOE(京東方)參展的... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
BOE 2025-5-15 11:10
新聞亮點(diǎn): • 與分立式解決方案相比,新型高速單芯片激光雷達(dá)激光驅(qū)動(dòng)器能夠更快速、更精準(zhǔn)地檢測(cè)到物體。 • 基于體聲波 (BAW) 的新型高性能汽車(chē)時(shí)鐘,可靠性比基于石英的時(shí)鐘高出 100 倍,從而實(shí)現(xiàn)更安全的運(yùn)行。 • 汽車(chē)制造商可以借助德州儀器最新的毫米波 (mmWave) 雷達(dá)傳感... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
德州儀器新型汽車(chē)芯片自動(dòng)駕駛 2025-4-15 16:06
全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,為其屢獲殊榮的 QSPICE 電路仿真軟件新增一項(xiàng)重要功能——在幾分鐘而非幾小時(shí)內(nèi)精確地為半導(dǎo)體元件創(chuàng)建模型。電子設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以在 QSPICE 免費(fèi)軟件包中使用該全新工具。這項(xiàng)新功能使得設(shè)計(jì)師能夠利用數(shù)據(jù)表中常見(jiàn)的信息... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
QorvoQSPICE 電路仿真軟件 2025-3-6 14:11
在IEDM2024上,英特爾代工的技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)展示了晶體管和封裝技術(shù)的開(kāi)拓性進(jìn)展,有助于滿足未來(lái)AI算力需求。IEDM 2024(2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議)上,英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破,助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。具體而言,在新材料方面,減成法釕互連技術(shù)(subtractive Rutheni... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
英特爾 IEDM2024 2024-12-9 11:20
新IP將閃存與EEPROM元件相結(jié)合,增強(qiáng)數(shù)據(jù)保持能力,具備同類(lèi)最佳的運(yùn)行可靠性全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類(lèi)最佳的SONOS技術(shù):基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái),X-FAB可為... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
X-FABBCD-on-SOI技術(shù)嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 2024-12-5 13:02
專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商™貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書(shū),探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì),以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。《10 Experts Discuss ... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
貿(mào)澤電子 Analog Devices Bourns 全新電子書(shū) 2024-12-3 15:20
由芯合半導(dǎo)體參與制定的《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFETs)閾值電壓測(cè)試方法》等9項(xiàng)SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的這一系列標(biāo)準(zhǔn),旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學(xué)、合理的測(cè)試與評(píng)估方法,支撐產(chǎn)... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
芯合半導(dǎo)體 SiC MOSFET 2024-11-22 09:42
專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商™貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手推出一本新電子書(shū),重點(diǎn)介紹優(yōu)化電源系統(tǒng)的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》(面向未來(lái)的供電:兼顧效率... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
貿(mào)澤電子 Analog Devices 2024-11-13 16:51