前往首頁(yè) 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A型） 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2025年4月8日）宣布，將于5月1日開(kāi)始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體，專(zhuān)為軌道交通車(chē)輛等大型工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)。通過(guò)采用專(zhuān)有的二極管和IGBT元件，以及獨(dú)特的芯... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī)HVIGBT模塊 2025-4-10 11:20
三菱電機(jī)株式會(huì)社近日（2025年1月14日）宣布，將于2月15日起開(kāi)始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽(yáng)能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、儲(chǔ)能電池等電源系統(tǒng)中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。 ... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī) 第8代IGBT模塊 2025-1-20 10:43
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年12月23日）宣布，將于12月26日開(kāi)始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊樣品，這兩款模塊額定電壓均為1.7kV，適用于鐵路車(chē)輛和直流輸電等大型工業(yè)設(shè)備。得益于三菱電機(jī)專(zhuān)有的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片和絕緣結(jié)構(gòu)，新模塊實(shí)現(xiàn)了出色的可靠性、低功率損... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī) HVIGBT模塊 IGBT 2024-12-26 13:05
用于800Gbps和1.6Tbps光纖通信的200Gbps PIN-PD芯片圖示 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年8月20日）宣布，將從2024年10月1日起開(kāi)始提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纖通信。三菱電機(jī)的光學(xué)設(shè)備陣容中增加了新的接收器芯片，將使傳輸速度為800Gbps... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī) 光電二極管 光收發(fā)器 2024-9-6 10:13
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開(kāi)始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產(chǎn)品，以滿足大型工業(yè)設(shè)備對(duì)能夠提高功率輸出和功... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī) SBD嵌入式 SiC－MOSFET模塊 2024-6-13 15:02
1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品 Nexperia今天宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)... （來(lái)源：新品頻道）
Nexperia SiC MOSFET分立器件 D2PAK－7封裝 2024-5-23 10:06
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年3月21日）宣布，將于4月1日開(kāi)始提供其新型光器件樣品——內(nèi)置波長(zhǎng)監(jiān)視器的DFB*1-CAN。這種創(chuàng)新的新型光源是業(yè)界率先使用TO-56CAN*2封裝進(jìn)行高速、長(zhǎng)距離傳輸?shù)臄?shù)字相干通信光源，有望為實(shí)現(xiàn)光收發(fā)模塊的超小型、低功耗做出貢獻(xiàn)。 伴隨物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、高分辨率視頻流和生成式人... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī) DFB－CAN 光收發(fā)器 2024-3-25 15:21
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于2月28日開(kāi)始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無(wú)線電（對(duì)講機(jī)）的射頻高功率放大器。該型號(hào)采用3.6V單節(jié)鋰離子電池，可實(shí)現(xiàn)業(yè)界先端的6.5W輸出功率，有望擴(kuò)大商用無(wú)線電設(shè)備的通信范圍并降低功耗。 硅射頻高... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī)硅射頻高功率MOSFET 2024-3-1 14:37
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年1月23日）宣布即將推出六款用于各種電動(dòng)汽車(chē)（xEV）的新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，這些模塊采用碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有緊湊的設(shè)計(jì)和可擴(kuò)展性，可用于電動(dòng)汽車(chē) （EV） 和插電式混合動(dòng)力汽車(chē) （PHEV） 的逆變器。所有六款J... （來(lái)源：新品頻道）
三菱電機(jī) SiC 逆變器 2024-1-25 10:06
1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源轉(zhuǎn)型基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品... （來(lái)源：新品頻道）
Nexperia SiC MOSFET工業(yè)電源開(kāi)關(guān) 2023-11-30 10:00
中電網(wǎng) 中國(guó)電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺(tái)
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機(jī)中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號(hào)-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號(hào)
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到58條【三菱電機(jī)】相關(guān)的新品。
三菱電機(jī) SBD嵌入式 SiC－MOSFET模塊 2024-6-13 15:02
查看關(guān)鍵詞的分類(lèi)頻道
中電網(wǎng)官方微博