全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品(TO-263-7L)相比,其散熱性提升約39%,雖然體型小且薄,卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... (來源:新品頻道)
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現代電力電子世界中,碳化硅技術正以前所未有的速度取代傳統硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H,便是一款采用標準TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管,它以其卓越的性能,成為中大功率應用領域升級換代的理想選擇。 一、LGE3D30120H主要參數 核心... (來源:新品頻道)
魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”,該產品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業設備的應用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性,同時還能實現更高的設計靈活性和功率密度。 目... (來源:新品頻道)
ROHMSiCDOT247 2025-9-22 15:52
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率... (來源:新品頻道)
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2,將工業應用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27
TDK株式會社(東京證券交易所代碼:6762)推出一系列全新大尺寸鐵氧體磁芯,其磁芯形狀各異,使其成為業內同類大尺寸磁芯中涵蓋形狀、尺寸和材料最豐富的產品系列*。這類磁芯廣泛應用于不同的工業應用,例如電機驅動器、電動汽車充電樁、鐵路與軌道交通中的功率變壓器、焊接設備、醫療器械、不間斷電源... (來源:新品頻道)
TDK鐵氧體磁芯 2025-7-28 11:13
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合,在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ,廣泛適用于車載充電... (來源:新品頻道)
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業 2025-7-1 11:20
在光伏發電系統中,逆變器是實現直流-交流轉換的核心設備,其性能直接決定電能轉換效率和系統可靠性。作為電流檢測的關鍵元件,傳感器的精度、響應速度和溫度穩定性對逆變器的控制精度與安全運行至關重要。多維科技(Dowaytech)基于專研多年的隧道磁電阻(TMR)技術,推出一系列高性能TMR電流傳感器產... (來源:新品頻道)
多維科技TMR電流傳感器 2025-6-5 11:42
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有獨特的物理和電性特性,其能帶間隔是硅的 2.8 倍,絕緣擊穿場強為硅的 5.3 倍,導熱率為硅的 3.3 倍,這些特性使得碳化硅肖特基二極管能夠在高電壓、高頻率和高溫條件下穩定運行,在功率器件領域展現出巨大潛力。 魯晶半導體推出5000V SiC SBD,主要應用在電力... (來源:新品頻道)
魯晶半導體碳化硅肖特基二極管 2025-6-3 15:26
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用,可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動,有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 ... (來源:新品頻道)
ROHMGaN器件隔離型柵極驅動器IC 2025-5-27 16:04