前往首頁(yè) 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
iDEAL半導(dǎo)體宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。 SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過(guò)25年來(lái)的首次重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期存在的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通限制。它在性能和效率方面實(shí)現(xiàn)了階躍式提升，同時(shí)保留了硅的核心優(yōu)勢(shì)：堅(jiān)固性、高產(chǎn)量制造能力，以及... （來(lái)源：新品頻道）
iDEALMOSFET 2025-9-5 15:01
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。 SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電... （來(lái)源：新品頻道）
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將為Rivian的R2平臺(tái)提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺(tái)將使用英飛凌HybridPACK™ Drive G2產(chǎn)品系列的碳化硅（SiC）和硅（Si）模塊。英飛凌預(yù)計(jì)將從2026年開(kāi)始供貨。此外，英飛凌還將為該平臺(tái)提... （來(lái)源：新品頻道）
英飛凌Rivian逆變器電動(dòng)汽車(chē) 2025-6-11 09:24
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有獨(dú)特的物理和電性特性，其能帶間隔是硅的 2.8 倍，絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的 5.3 倍，導(dǎo)熱率為硅的 3.3 倍，這些特性使得碳化硅肖特基二極管能夠在高電壓、高頻率和高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)行，在功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。 魯晶半導(dǎo)體推出5000V SiC SBD，主要應(yīng)用在電力... （來(lái)源：新品頻道）
魯晶半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管 2025-6-3 15:26
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另... （來(lái)源：新品頻道）
ROHMMOSFET 2025-5-16 11:04
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。... （來(lái)源：新品頻道）
英飛凌肖特基二極管GaN晶體管 2025-4-22 14:00
同時(shí)加快車(chē)載GaN器件的開(kāi)發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn) 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車(chē)載設(shè)備以及需要支持大... （來(lái)源：新品頻道）
ROHMATXGaN HEMT 2025-2-14 13:05
雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)字電源市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，這不僅順應(yīng)全球節(jié)能減排的趨勢(shì)，也對(duì)促進(jìn)電子設(shè)備小型化、集成化起到關(guān)鍵作用。 近年來(lái)第三代半導(dǎo)體材料如... （來(lái)源：新品頻道）
極海G32R501全數(shù)字雙向電源 2025-1-14 10:15
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場(chǎng)規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。英飛凌長(zhǎng)期深耕氮化鎵領(lǐng)域，再次推動(dòng)了氮化鎵革命，率先成功開(kāi)發(fā)出了全球首... （來(lái)源：新品頻道）
英飛凌 氮化鎵晶圓 2024-12-9 10:26
長(zhǎng)光辰芯發(fā)布時(shí)間延遲積分（TDI）CMOS圖像傳感器GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增強(qiáng)版本。產(chǎn)品采用先進(jìn)的背照式技術(shù)，在GLT5009BSI可見(jiàn)光版本的基礎(chǔ)上，DUV版本極大提升了UV范圍的靈敏度，結(jié)合GLT5009BSI固有的高分辨率、高靈敏度、高動(dòng)態(tài)范圍、寬光譜響應(yīng)、低噪聲等優(yōu)異性能，DUV版本的應(yīng)... （來(lái)源：新品頻道）
長(zhǎng)光辰芯 GLT5009BSI－DUV版本 2024-8-19 10:19
中電網(wǎng) 中國(guó)電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺(tái)
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機(jī)中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號(hào)-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號(hào)
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到31條【半導(dǎo)體材料】相關(guān)的新品。
查看關(guān)鍵詞的分類(lèi)頻道
中電網(wǎng)官方微博