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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率... （來源：新品頻道）
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續供貨Texas Instruments (TI) 的新產品和解決方案。作為一家授權代理商，貿澤提供超過69,000種TI器件供訂購，其中包括超過45,000種有庫存且可立即發貨。此外，還提供多樣化的TI技術組合，幫助買家和工程師將... （來源：新品頻道）
貿澤TI 2025-7-16 16:15
在新能源、工業電源和高效能系統日益追求高頻、高效、高溫可靠性的時代，碳化硅（SiC）器件正逐漸成為電力電子的核心。時科深耕第三代半導體領域，傾力打造出全新一代650V、15A碳化硅肖特基二極管——Q-SSC1565-TF，全面助力高性能功率系統升級換代。 領先于時代的技術選型 Q-SSC1565-... （來源：新品頻道）
時科肖特基二極管 2025-7-9 11:25
基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 ... （來源：新品頻道）
ROHMGaN器件隔離型柵極驅動器IC 2025-5-27 16:04
－四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度－ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的... （來源：新品頻道）
東芝MOSFET 2025-5-20 12:03
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源開關產品應用而設計，例如直流對直流、交流轉直流... （來源：新品頻道）
Diodes 碳化硅肖特基二極管 2025-4-29 13:36
超結器件支持高額定功率和高密度，同時能夠降低傳導和開關損耗，從而提高效率日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix... （來源：新品頻道）
Vishay功率MOSFET電源轉換 2025-4-16 15:19
• 新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。• 新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。 德州儀器... （來源：新品頻道）
德州儀器電源管理芯片數據中心 2025-4-9 13:20
同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支持大... （來源：新品頻道）
ROHMATXGaN HEMT 2025-2-14 13:05
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