意法半導體推出一系列GaN反激式轉換器,幫助開發者輕松研發和生產體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉換器在低負載條件下采用意法半導體專有技術,確保電源和充電器無聲運行,為用戶帶來出色的使用體驗。 VIPerGaN50W是新系列反激式轉換器的首款產品,是在一款體積緊湊的功... (來源:新品頻道)
意法半導體GaN反激式轉換器VIPerGaN50W 2025-11-18 10:15
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)為環隆科技股份有限公司(UMEC)提供CoolGaN™功率晶體管,應用于其新型250 W網絡以太網供電(PoE)適配器。英飛凌CoolGaN™晶體管具備極高的可靠性和卓越的性能,助力環隆科技開發更安全且高效... (來源:新品頻道)
英飛凌 CoolGaN以太網供電器 2025-10-11 13:11
該系列包括六款產品,適用于高增長電機驅動、數據中心及可持續發展應用 隨著市場對緊湊型、高效且可靠的電源解決方案的需求持續增長,對可提供更高功率密度并簡化系統設計的電源管理器件的需求也隨之增加。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布推出全新DualPack 3(DP3)系列電源模塊... (來源:新品頻道)
MicrochipDualPack 3 IGBT7電源模塊 2025-9-18 15:40
納芯微正式推出車規級隔離半橋驅動芯片NSI6602MxEx系列,該系列在納芯微明星產品NSI6602基礎上,集成了米勒鉗位功能,同時兼具高隔離電壓、低延時、死區可配、欠壓閾值可選等特點,適用于驅動SiC、IGBT等器件,可廣泛應用于新能源汽車OBC、DC/DC、主動懸架等場景。 NSI6602MxEx與NSI6... (來源:新品頻道)
納芯微NSI6602MxEx驅動芯片半橋 2025-7-14 15:59
隨著工業 4.0 時代的到來,工廠基礎設施不斷升級,產能不斷擴大,推動了該領域的快速增長。此外,家用電器也必須滿足更高的效率和可靠性標準。英諾賽科憑借全球高可靠性的氮化鎵,為電源系統設計人員提供了提高效率、減小尺寸和降低 BOM 成本的最有效方法。 全球領先的 GaN(氮化鎵)功率半導體供應... (來源:新品頻道)
英諾賽科電機驅動評估板 2025-7-2 11:08
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N,該芯片集成正負壓穩壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力,可以顯著簡化GaN驅動電路設計,提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... (來源:新品頻道)
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
中恒微推出Drive ED3 (EconoDUAL™ 3)封裝的SiC功率模塊,使用平面柵(planer gate)SiC MOSFET芯片技術,在高溫下具有優異的RDS(ON)表現,標準封裝具有良好的適配性。能夠提供更高的可靠性、更高的轉換效率、更高的頻率應用以及更大的功率密度。主要應用于新能源汽車、儲能變流器、電能質量、... (來源:新品頻道)
中恒微Drive ED3封裝SiC 2025-5-13 10:56
五款全新參考設計全頁展示采用寬爬電距離封裝的InnoSwitch™3-AQ反激式IC的性能 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布推出五款面向800V汽車應用的全新參考設計,這些參考設計基于該公司的1700V InnoSwitch™3-AQ反激式開... (來源:新品頻道)
PI開關IC電動汽車 2025-5-7 13:40
隨著新能源電動汽車行業的蓬勃發展,其動力系統的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。該產品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網、工業控制、軌道交通和變頻白電等行業。... (來源:新品頻道)
金升陽 QA-R3S 驅動電源 2025-4-10 10:38
目標應用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導體的 VIPerGaN65D 反激式轉換器采用SOIC16封裝,可以用于設計體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器,最大輸出功率可達65W,輸入電壓為通用電網電壓。 這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優化的柵極... (來源:新品頻道)
意法半導體65W GaN變換器 2025-3-26 09:00