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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率... （來源：新品頻道）
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業界先進水平。 新產品采用ROHM自有結構，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另... （來源：新品頻道）
ROHMMOSFET 2025-5-16 11:04
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一... （來源：新品頻道）
羅姆SiC MOSFETs 2025-5-14 13:28
羅姆SiC MOSFETs 2025-5-13 09:23
在汽車電動化與智能化浪潮下，強茂推出60V N通道SGT-MOSFETs系列，以屏蔽柵槽溝技術（SGT）為核心，為車載電源管理、電機驅動等場景提供高效解決方案。 產品應用，多種選擇 包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，這些MOSFETs皆通過AEC-Q101之認證，具備優異的導... （來源：新品頻道）
強茂SGT MOSFET 2025-5-12 11:03
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.... （來源：新品頻道）
Nexperia頂部散熱封裝技術碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-3-20 15:02
這些低電容器件還能夠保護適用于100/1000BASE-T1標準的12/24/48V網絡，幫助汽車制造商簡化電路板設計，優化供應鏈管理 Nexperia今日宣布推出首款符合開放技術聯盟要求、適用于10BASE-T1S汽車以太網應用的ESD保護二極管。這些二極管具有非常低的電容（0.4 pF），意味著可以用于保護車內網絡中采... （來源：新品頻道）
Nexperia 車規級ESD保護二極管 2025-2-12 10:57
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業內領先的功率密度和優越性能。創新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統和其他耗電... （來源：新品頻道）
CCPAK1212封裝 Nexperia 功率MOSFET 2024-12-13 10:45
效率超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代電源方案，完美適配AI和超大規模數據中心納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數... （來源：新品頻道）
納微半導體 數據中心 服務器電源 2024-11-12 10:09
單/雙封裝比傳統封裝具有更優異的熱性能Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封裝的單和雙小信號MOSFET器件，分別采用DFN1110D-3和DFN1412-6封裝，且符合汽車可靠性標準。特別是DFN1110D-3封裝得到了越來越廣泛的應用，在用于汽車應用的晶體管和MOSFET的行業中成為“基準”封裝。 DFN1110D-3和DFN1412-... （來源：新品頻道）
Nexperia微型DFN1110D－3DFN1412－6封裝汽車級小信號MOSFET 2024-9-11 10:35
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