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基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅（SiC）替代器件全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... （來源：新品頻道）
Transphorm TO－247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢，此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實現(xiàn)更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）功率轉換產品的領軍企業(yè)和全球供應商。公司宣布推出六款表面貼裝器件（SMD），采用行業(yè)標準PQFN 5x6和8x8封裝。這些SMD提供Transphorm專利SuperGaN® d-mode雙開關常閉式平臺所帶來的可靠性和性能優(yōu)勢，并采用為競品e-mode G... （來源：新品頻道）
TransphormSuperGaN FET 2023-5-5 10:12
SuperGaN®技術的差異化優(yōu)勢電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優(yōu)勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電... （來源：新品頻道）
Transphorm氮化鎵電源適配器 2022-7-8 10:34
高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供應其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的樣品。Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄準電動汽車(EV)市場，提供SuperGaN器件系列行業(yè)領先的固有性能增強、易設計性和優(yōu)化的成本結構。值得... （來源：新品頻道）
Transphorm TP65H015G5WS 2020-12-7 12:18
Transphorm, Inc.宣布推出其最新的評估板TDTTP4000W065AN。該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉直流(AC-DC)電源轉換而設計，采用無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)拓撲和傳統(tǒng)的模擬控制。 TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能，設計更簡單 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產... （來源：新品頻道）
TransphormGaN評估板 2020-9-4 11:05
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