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新款A(yù)OZ17517QI系列60A電子保險絲具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和 0.65mΩ低導(dǎo)通電阻,專為服務(wù)器電源優(yōu)化設(shè)計。 日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出了一款全新AOZ17517QI系列60A電子... (來源:新品頻道)
AOS eFuse電源保護(hù)AOZ17517QI保險絲 2025-8-13 14:09
這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W,并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼,從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款采用無引線鍵合(BWL)封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... (來源:新品頻道)
Vishay MOSFET導(dǎo)通電阻 2025-5-30 11:04
概要 IPM29 整流系列智能功率模塊(整流+逆變),基于先進(jìn)的Trench FS-IGBT和內(nèi)溝槽整流二極管工藝,內(nèi)部集成高性能、低損耗的三相整流橋,可以滿足客戶端更高集成化的需求與應(yīng)用 產(chǎn)品優(yōu)化內(nèi)部驅(qū)動、功率芯片組合,減小寄生電感,實(shí)現(xiàn)低電磁干擾(EMI)特性。內(nèi)部電路集成適配自舉電容,進(jìn)一步減... (來源:新品頻道)
芯能IPM29整流系列智能功率模塊 2025-3-20 10:25
器件占位面積小,采用BWL設(shè)計,ID高達(dá)795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優(yōu)... (來源:新品頻道)
Vishay 40 V MOSFET SiJK140E 2024-12-5 10:28
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封裝,RthJC低至0.45 °C/W,ID高達(dá)144 A,從而提高功率密度日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)封裝的全新150 V TrenchFET® Gen V N溝道功率MOSF... (來源:新品頻道)
Vishay 150 V MOSFET SiRS5700DP 2024-11-21 11:00
助力車載電動壓縮機(jī)和工業(yè)設(shè)備逆變器等效率提升全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。此次發(fā)售的產(chǎn)品包括4款分立封裝... (來源:新品頻道)
ROHM 逆變器 1200V IGBT 2024-11-8 11:02
英飛凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)推出用于電機(jī)驅(qū)動的低功耗CIPOS™ Maxi智能功率模塊 (IPM) 系列,進(jìn)一步擴(kuò)展了其第七代TRENCHSTOP™ IGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1 系列基于最新的TRENCHSTOP IGBT7 1200 V和快速二極管EmCon 7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計,該產(chǎn)品具... (來源:新品頻道)
英飛凌 CIPOS Maxi 智能功率模塊 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器 2024-8-12 17:11
目標(biāo)應(yīng)用包括電信設(shè)備、服務(wù)器和智能表計的電源,以及LED車燈或汽車低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝槽肖特基整流二極管。 隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用,設(shè)計人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率,不斷刷新功率密度。不過,當(dāng)開關(guān)頻率變得更高... (來源:新品頻道)
意法半導(dǎo)體100V溝槽肖特基整流二極管 2024-4-2 14:33
節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %,有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 ... (來源:新品頻道)
Vishay 80 V對稱雙通道 MOSFET SiZF4800LDT 2024-3-14 14:33
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速開關(guān) IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領(lǐng)先的新能源汽車功率電子和電機(jī)驅(qū)動器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司(VMAX)將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。... (來源:新品頻道)
英飛凌威邁斯電動汽車CoolSiC 混合分立器件 2024-3-4 10:27
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