常規開關(例如MOSFET或IGBT)通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如,使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管,可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流,但沒有任何門控制。這些設備通常可以通過在背對背(B2B)配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻(... (來源:技術文章頻道)
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
本文作者:Catherine De Keukeleire,可靠性與質量保證總監,寬禁帶,安森美(onsemi)幾十年來,硅(Si)一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展,硅的局限性變得越來越明顯。隨著行業不斷探索解決方案,寬禁帶(... (來源:技術文章頻道)
碳化硅制造寬禁帶 2024-11-26 10:58
作者:Catherine De Keukeleire,可靠性與質量保證總監,寬禁帶,安森美幾十年來,硅(Si)一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展,硅的局限性變得越來越明顯。隨著行業不斷探索解決方案,寬禁帶(WBG)材料,... (來源:技術文章頻道)
碳化硅制造 SiC 電力電子 2024-10-24 10:32
作者:安森美 Ajay Sattu 在工業、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展,從而實現更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 (SiC) 器件可再生能源 2023-9-15 15:01
文章來源:Power Electronics News在相當長的一段時間內,硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料,它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體:將電子激發到導帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優... (來源:技術文章頻道)
碳化硅電氣化趨勢 2023-2-17 11:11
2022 年 12 月 6 - 7 日,中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會(第二季)于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會,該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案... (來源:技術文章頻道)
電路保護SiC-FETs 2022-12-28 17:02
高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。在過去20年間,額定電... (來源:技術文章頻道)
功率轉換 SiC MOSFET 2022-12-20 09:53
Microchip Technology Inc.Xuning Zhang和Kevin Speer高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高... (來源:技術文章頻道)
Microchip SiC MOSFET 2022-11-22 11:35
高能效對于多種大電流電源應用至關重要,包括工業電機驅動器、可再生能源系統和固態變壓器。盡管硅長期以來一直是這些應用中使用的主要半導體,但由于SiC提供的卓越靜態和動態性能,中壓碳化硅 MOSFET 功率模塊正成為替代當前 Si IGBT 模塊的最佳解決方案。中壓 SiC MOSFET 和 JFE... (來源:技術文章頻道)
電機驅動器 柵極驅動電源 2022-8-5 09:43
眾所周知,封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征,如單位面積的導通電阻 (RdsA),同時同步降低電容以實現快速開關。新的分立封裝即將推出,它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能。可用的標準模塊越來越多,而且有越來越多的新先進技... (來源:技術文章頻道)
SiC器件封裝技術導通電阻 2020-3-2 11:28