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摘要： 以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實... （來源：技術文章頻道）
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電 荷存儲效應；另外MOSFET沒有二... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 2025-4-28 09:38
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。本白皮書將探討IGBT并聯的技術要點... （來源：技術文章頻道）
IGBT 并聯設計 2025-4-21 10:03
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些，才能... （來源：技術文章頻道）
IGBT并聯器件 2025-1-21 14:05
作者：是德科技產品營銷經理 Choon-Hin Chang 印刷電路板組件（PCBA）制造商依靠在線測試（ICT）系統來檢測制造工藝和元器件中存在的缺陷。制造商傾向于使用 ICT 系統來測試電子組件，因為這種系統不僅易于編程、能夠輕松識別各種故障，還具有測試吞吐量高、誤報率低以及故障診斷準確度高等諸多... （來源：技術文章頻道）
是德科技 PCBA ICT在線測試 2024-11-20 09:40
在電氣化和智能化的推動下，今天汽車的含“芯”量來越高，越來越多的汽車電子功能也隨之被整合到汽車中，為用戶提供更加安全和舒適的駕乘體驗。不過，汽車的空間是有限的，想要在有限的車載空間內塞入更多的功能，解決方案只有一個，那就是“小型化”。對于汽車電子產品來講，實現小型化的一個重要舉措... （來源：技術文章頻道）
汽車電子 封裝技術 DFN封裝 2024-7-12 15:29
電壓鉗位元件對于固態斷路器 (SSCB) 和混合斷路器 (HCB) 來說都是必不可少的，以保護固態開關免受過電壓損壞并吸收系統環路電感中的剩余能量。本文從工作電壓范圍、浪涌電流能力、能量吸收能力、成本等方面比較了各種電壓鉗位元件（例如金屬氧化物壓敏電阻 [MOV]、瞬態電壓抑制 [TVS] 二極管、基于電容... （來源：技術文章頻道）
固態斷路器 2024-6-20 10:02
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。 圖1. 功率MOSFET的組件級電容 三端功率... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 高壓CV測試 2024-6-7 15:12
本文要點• 要想準確預測集成電路封裝的結溫和熱阻，進而優化散熱性能，仿真的作用舉足輕重。• 準確的材料屬性、全面的邊界條件設置、真實的氣流建模、時域分析以及實證數據驗證是成功進行集成電路封裝熱仿真的關鍵。• 要實現高效傳熱，必須了解并管理集成電路封裝的熱阻 ΘJA、ΘJC 和... （來源：技術文章頻道）
熱仿真 電路封裝 Cadence 2024-5-20 09:42
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人... （來源：技術文章頻道）
GaN 功率器件氮化鎵 2024-4-1 09:30
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