前往首頁 聯系我們 網站地圖
如今，電動汽車越來越受歡迎，隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而，電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產品的快速充電有很大不同。在電動汽車中，快速充電技術需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術，此時... （來源：技術文章頻道）
直流快充電動汽車 2024-12-12 11:20
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優勢主要體現在三個方面：&#... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 數據中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
交流充電樁適合在家中或工作場所為電動汽車充電，因為目前車載充電器的額定功率通常達到11千瓦，充滿電需要8~10小時。然而，對于假期等長途旅行，消費者希望在休息期間充電更快。直流電動汽車充電樁具有交流轉直流、隔離直流轉直流的特點，比交流充電樁具有更高的額定功率。使用分立器件的直流電動汽車... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 PFC SiC 器件 2024-1-4 09:30
合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。 圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進行平衡... （來源：技術文章頻道）
雙運放電流源SiC MOSFET 2023-12-28 10:45
由于碳化硅（SiC）器件的低導通損耗和低動態損耗，英飛凌CoolSiC™ MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統和電機驅動等工業應用。但與此同時，工程師也面臨著獨特的設計挑戰。實現更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統的散熱性能，是相互矛盾的挑戰，但英飛凌創新的.XT技... （來源：技術文章頻道）
儲能系統光伏系統電機驅動 2023-10-27 10:01
軟件和硬件都是所有電機控制系統的一部分，例如 IGBT、WBG 半導體和 MCU。工業4.0的發展強烈依賴于電機控制，但能源消耗是一個關鍵問題，因為它正在快速增長，并且需求隨著設計的復雜性而增長，因為許多電子技術都有嚴格的控制要求。寬帶隙 (WBG) 材料就是這種情況的一個例子。從功能的角度來看，電機控... （來源：技術文章頻道）
電機控制設計 2023-8-14 10:26
合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。 圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 技術 MOSFET 器件 2023-8-9 10:42
“引言”近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cer... （來源：技術文章頻道）
增強互連封裝技術 1200 V SiC MOSFET單管設計 2023-6-6 16:31
電機控制系統由軟件和硬件組件組成，包括 IGBT、WBG 半導體和 MCU，它們變得越來越復雜。電機控制在工業4.0的技術發展中扮演著重要的戰略角色。工業發展的一個關鍵問題是能源使用。電力消耗正在顯著增長，部分原因是工業電動機的電力需求。由于這些不斷增長的需求，在電機控制領域尋找有效的解決方案成... （來源：技術文章頻道）
寬帶隙器件電機控制設計 2023-3-1 10:31
原來1.5小時，現在只需20分鐘就能將電動汽車（EV）從5%的荷電狀態（SoC）充電至80%，這樣的電動汽車充電方案你喜歡嗎？好消息是，這已經不是“畫大餅”，保時捷Taycan通過采用全新的800V系統，就已經實現了上述這個電動汽車車主們心心念的愿望。對于電動汽車而言，為了縮短充電時間、解決車主的里程焦慮... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 SiC MOSFET 2023-2-21 11:06
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到22條【CoolSiC MOSFET】相關的技術文章。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博