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MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電 荷存儲效應；另外MOSFET沒有二... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 2025-4-28 09:38
在功率半導體領域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”，這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢，在不同領域都實現如快充頭一樣的普及，一直是行業難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優勢主要體現在三個方面：&#... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 數據中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
無論是MOSFET、IGBT，還是SiC MOSFET、GaN HEMT，每個功率器件都需要相應的柵極驅動芯片（Gate Driver IC）。一款合適的驅動芯片，可以簡化你系統設計復雜度，節省研發時間。但不合適的驅動芯片，可能會讓你走彎路。那么，該如何選擇一款合適的柵極驅動芯片？我們專門請納芯微技術市場經理龐家華進行了... （來源：技術文章頻道）
柵極驅動器 隔離驅動器 容耦 2024-11-11 14:30
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來源：技術文章頻道）
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺，全球對可再生能源寄予厚望，對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術（節能的關鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節能性能和效率。通過在適合的應用中使用功率元器件和模擬IC，可以進一步提高逆變器的功率轉換效率，降低工業設... （來源：技術文章頻道）
羅姆 半導體功率元器件 模擬IC 2024-5-17 11:24
摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體 SiC 2022-10-20 10:12
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產品證明派恩杰是國產碳化硅功率器件的佼佼者，展現了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。背景在功率器件半導體領域，越來越需要高... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 碳化硅 2022-10-19 10:26
作者：Doctor M在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN... （來源：技術文章頻道）
新能源汽車 GaN 2022-9-21 10:48
新能源汽車 GaN 2022-9-14 10:12
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