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↓在 技術(shù)文章 中搜索到 4 條關(guān)于“GaNFET”的信息，用時:0.002 sec.

非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設(shè)計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?

作者：Kevin Thai，應(yīng)用經(jīng)理問題沒有專門用于驅(qū)動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護電路，可以為四開...
硅MOSFET設(shè)計DC－DC控制器驅(qū)動GaNFET 2025-01-06

如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器，而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置G...
GaNFET設(shè)計LT8390AGaNDC－DC轉(zhuǎn)換器 2024-11-05

增強 E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增強模式行為，并且該技術(shù)自 2010 年代初期以來已投入商業(yè)應(yīng)用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡化了...
共源共柵 GaNGaNFET 2024-10-11

幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分...
氮化鎵GaNPCB設(shè)計柵極驅(qū)動器 2023-02-23

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