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作者：Kevin Thai，應用經理 問題 沒有專門用于驅動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器？ 回答 眾所周知，GaNFET比較難驅動，如果使用原本用于驅動硅(Si) MOSFET的驅動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動電壓和一些小型保護電路，可以為四開... （來源：技術文章頻道）
硅MOSFET設計 DC－DC控制器 驅動GaNFET 2025-1-6 14:18
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅動器，而新的GaN驅動器和內置G... （來源：技術文章頻道）
GaNFET設計 LT8390A GaN DC－DC轉換器 2024-11-5 10:18
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來源：技術文章頻道）
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結構如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結合了低壓常關硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產生了增強模式行為，并且該技術自 2010 年代初期以來已投入商業應用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡化了... （來源：技術文章頻道）
共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03
作者： Art Pini面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 電源管理 GaN FET 2023-4-6 09:43
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。 本設計文檔其余部分... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 GaN PCB設計 柵極驅動器 2023-2-23 14:25
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵(GaN) 柵極驅動器 2022-9-15 11:25
作者：Sandeep Bahl, TI技術專家氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應器尺寸。不過，在投資這個技術之前，您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒有人問硅(Si)是否可靠。其實仍然有新的硅產品持續上市，電源設計人員也同樣關注硅功率組件的可靠性。... （來源：技術文章頻道）
GaN 氮化鎵 場效應晶體管 2022-7-28 15:10
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 ：其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅動的環境下發揮越來越重要的作用。GaN ：可靠的技術GaN 是一項久經考驗的化合物半導體技術。自 20 世紀 80 年代以來，化合物半導體一直都是高性能應用中... （來源：技術文章頻道）
GaN 技術 GaN 器件 2022-3-21 15:07
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