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三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節點以后，晶體管結構該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產業對其可制造心存疑慮，根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明，這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法，解決了制造難題... （來源：技術文章頻道）
晶體管 2025-6-19 16:12
在向新一代復雜的軟件定義汽車 (SDV) 轉變的過程中，汽車行業正在經歷深刻的變革，促使大量的車載電子組件整合至更少數量的高性能計算元件。與此同時，汽車技術的快速演進也帶來了一個愈發棘手的難題：如何以一種節省資源且更具成本效益的方式提供所需的算力？ 傳統的單片半導體設計正接近自身極限。... （來源：技術文章頻道）
imec 軟件定義 汽車 SoC 2025-5-16 09:13
幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結構進行3nm后段集成的工藝假設 作者：泛林集團Semiverse™ Solution部門半導體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進，后段模塊處理迎來挑戰• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電... （來源：技術文章頻道）
半大馬士革集成空氣間隙結構 2023-12-18 15:36
作者：半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試... （來源：技術文章頻道）
半大馬士革工藝流程 后段器件集成 2023-10-20 11:27
探討晶圓背面的半導體新機遇 作者：泛林集團 Semiverse™ Solutions 半導體和工藝整合工程師 Sandy Wen在我從事半導體設備的職業生涯之初，晶圓背面是個麻煩問題。當時發生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后，我們想到，可... （來源：技術文章頻道）
晶圓背面供電領域 2023-9-4 15:17
作者：techinsights關于汽車世界，博物館可能是一個關于汽車運輸未來的會議最合適的地點。它收藏了大量從20世紀初到60年代和70年代的老式汽車(由馬希家族收藏)。它與展出的配備先進駕駛輔助系統(ADAS)的新興汽車并排展出，突顯了汽車行業已經經歷(并仍在經歷)的技術之旅的反差。2022年9月12日至15日，在... （來源：技術文章頻道）
圖像傳感器駕駛輔助系統(ADAS) 2023-1-30 11:04
來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自forbesIEEE 國際電子設備會議 (IEDM) 始終是有關固態技術，特別是固態存儲器和存儲最新發展的有趣信息的來源。讓我們看看 2022 IEDM 上新興非易失性存儲器的一些發展。三星研究人員介紹了有關 28 納米嵌入式磁性隨機存取存儲器 (MRAM) 技術的信息。該器... （來源：技術文章頻道）
MRAM 存儲技術 2023-1-28 10:51
來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自semiengineering，謝謝。隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議... （來源：技術文章頻道）
FeFET鐵電電容器 2023-1-3 10:37
經過近十年和五個主要節點以及大量半節點之后，半導體制造業將開始從 finFET 過渡到 3nm 技術節點的全柵堆疊納米片晶體管架構。相對于 finFET，納米片晶體管通過在相同電路占位面積中增加溝道寬度來提供更多驅動電流。環柵設計改善了通道控制并最大限度地減少了短通道效應。 圖 1：在納米片晶體管中，... （來源：技術文章頻道）
納米片晶體管 3nm 技術節點 2022-11-3 10:28
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