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作者：ROHM半導體（ROHM Semiconductor）應用營銷經理 Imane Fouaide和應用工程高級經理 Christian Felgemacher 引言 要實現零碳社會的目標，交通工具的電動化至關重要。更輕、更高效的電子元器件在這一進程中發揮著重要作用。車載充電器（OBC）便是其中一例。緊湊型傳遞模塑功率模塊如何滿足當前... （來源：技術文章頻道）
車載充電器OBCSiC 2025-8-29 09:21
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一... （來源：技術文章頻道）
SiC SBD 三菱電機 2025-3-3 10:31
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。 為了實現低碳社會，能夠高效電能變換的電力電子技術正在擴展到消費、工業、電氣化鐵路、汽車、太陽... （來源：技術文章頻道）
SiC模塊封裝技術 2025-2-14 11:25
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選... （來源：技術文章頻道）
高壓SIC電池斷開開關 2025-2-13 11:00
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。 三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET，經過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化，具有濾... （來源：技術文章頻道）
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-1-23 11:23
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此，為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率并實現碳中和已成為全球共同的目標。 在這種背景下，羅姆致力于通過... （來源：技術文章頻道）
羅姆Power功率半導體電源 2025-1-15 13:13
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。通過使用SiC，可實現額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件，少數載流子不會積聚，所以能夠實現極低... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 SiC芯片技術 2024-12-20 16:00
如今，電動汽車越來越受歡迎，隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而，電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產品的快速充電有很大不同。在電動汽車中，快速充電技術需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術，此時... （來源：技術文章頻道）
直流快充電動汽車 2024-12-12 11:20
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。截至2024年，三菱電機已量產第二代平面柵SiC MOSFET芯片，并配套于各種模塊實現產品化。圖1顯示了第二代平... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 SiC MOSFET SiC芯片技術 2024-12-10 15:00
隨著全球能源結構的轉變和環保意識的提升，電動汽車、混合動力汽車等新能源汽車在全球范圍內得到了廣泛的推廣和應用。作為新能源汽車的“加油站”，充電樁不僅是連接電網和電動汽車的橋梁，也是實現智能電網、促進可再生能源利用、推動城市交通電氣化轉型的重要基礎設施。中國電動汽車充電基礎設施促進... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 充電樁 安森美 2024-10-15 11:27
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