前往首頁 聯系我們 網站地圖
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... （來源：技術文章頻道）
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的... （來源：技術文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效... （來源：技術文章頻道）
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... （來源：技術文章頻道）
碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET 安森美Al并聯設計 2025-2-28 14:10
當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時，晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高，漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此，驅動器在跨越線性區域時將承受嚴重負載，這會導致柵極電壓保持在穩定狀態。因此，除非驅動器可以提供幾安培的電流，否則開關速度將大大減慢。如此... （來源：技術文章頻道）
開關功率晶體管 2024-9-23 10:30
在功率電子領域，一場技術變革正在發生：在越來越多的應用中，GaN和SiC等第三代寬禁帶半導體器件正在逐步替代傳統的硅（Si）基器件，扮演越來越重要的角色。在需要較高電壓和功率的電動車、白色家電、通信基礎設施、可再生能源、數據中心等領域，SiC更是表現出強勁的實力。SiC器件的性能優勢從下圖可以... （來源：技術文章頻道）
Si SiC器件 貿澤電子 2024-8-16 09:26
從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展，電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關損耗一直是影響電力電子設備性能的關鍵因素之一，也成了人們對高效率追求路上的攔路虎。面對這一挑戰，盡管電力電子工程師們早就掌握了理... （來源：技術文章頻道）
ZVS軟開關技術 Qorvo SiC FET 2024-7-26 10:19
Si MOSFET 正常工作的驅動電路。關于制造商的應用說明和電路圖的一般性說明：除少數例外，這些都不適合任何系列生產?；旧?，驅動電路必須對柵極輸入電容進行充電和放電，但這不是恒定的。當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時，晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高... （來源：技術文章頻道）
開關功率晶體管 2024-7-19 11:19
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到45條【SiC JFET】相關的技術文章。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博