2025年9月4日,致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)2.5kW PFC評估板的空調電源方案。 圖示1-大聯大品佳基于Infineon產品的2.5kW空調電源方案的展示板圖 隨著全球空調市場規模持續擴張,電源系統的能... (來源:解決方案頻道)
大聯大品佳Infineon空調電源 2025-9-4 14:33
英飛凌TRENCHSTOP™ IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品系列,H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。... (來源:解決方案頻道)
儲能系統二極管IGBT 2023-10-27 09:53
Rohm公司的SCT4026DRHR是汽車級N溝SiC功率MOSFET,具有溝槽結構,750V和56A 4引腳THD通孔封裝.滿足資質AEC-Q101.器件能處理高壓和大電流,滿足各種條件下優化EMC噪音和電源效率.器件具有低開態電阻,快速開關速度和快速反向恢復.容易并聯工作,驅動簡單,無鉛和RoHS兼容封裝.主要用在汽車和開關電源.本文介紹... (來源:解決方案頻道)
電源管理 SiC MOSFET汽車電子 Rohm SCT4026DRHR 2022-6-10 16:07
Rohm公司的SCT4036KRHR是1200V, 43A 4引腳THD汽車級的溝槽結構碳化硅(SiC) 功率MOSFET,滿足資質AEC-Q101.器件能處理高壓和大電流,滿足各種條件下優化EMC噪音和電源效率.器件具有低開態電阻,具有快速開關速度和快速反向恢復.容易并聯工作,驅動簡單,無鉛和RoHS兼容封裝.主要用在汽車和開關電源.本文介紹了... (來源:解決方案頻道)
汽車電子 SiC MOSFET AEC-Q101 Rohm SCT4036KRHR 2022-5-31 14:41
Rohm公司的SCT4045DR是第四代溝槽架構的N溝SiC功率MOSFET,源-漏電壓VDSS為750V,導通電阻為45mΩ,具有小型化和低功耗的應用. 第四代SiC MOSFET產品具有業界一流的低導通電阻而不會犧牲短路耐受時間.器件采用有驅動器端的4引腳封裝,,能最大化高速開關性能. SCT4045DR具有快速開關速度和快速反向恢復,容易并... (來源:解決方案頻道)
消費類電子 SiC MOSFET 逆變器DC/DC轉換器 Rohm SCT4045DR 2022-4-7 14:11
Maxim公司的MAX14919是工業保護四路低邊開關,每路的開態電阻(RON)典型值為140mΩ,集成了±1kV/42Ω浪涌保護,用于魯棒應用.電阻設定的精確限流提供保證的工作電流100mA到800mA.輸出可以并聯以得到更高的負載電流.四個開關是引腳控制,既簡單而開關速度可高達200kHz.器件具有反向電流檢測以避免負載電源接線錯... (來源:解決方案頻道)
工業控制PLC Maxim MAX14919 2021-1-28 13:35
TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅動器開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供... (來源:解決方案頻道)
電源管理GaN FET太陽能UPS TI LMG3425R050600V 2020-12-30 12:02
TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅動器是開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供... (來源:解決方案頻道)
電源管理GaN FET太陽能UPS TI LMG3422R030 2020-12-10 14:26
Infineon公司的IGOT60R070D1是CoolGaN™ 600 V增強氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT),具有最高質量的最高的效率和功率密度.增強模式晶體管通常處于開關態(OFF),具有超快開關速度,沒有反向恢復的電荷,并能反向導通.器件具有低柵極電荷,低輸出電荷,以及優越的換向堅固性,工業應用具有JEDEC標準資... (來源:解決方案頻道)
電源管理開關電源增強GaNCoolGaNHEMT Infineon IGOT60R070D1 2020-12-4 12:01
Infineon公司的2EDN752x/2EDN852x系列產品是先進的雙路氮化鎵驅動器,具有比硅器件有明顯的優越性,特別是它的更高的臨界電場是使得氮化鎵對功率半導體器件具有非常大的吸引力.和Si MOSFET相比,它的動態開態電阻和更小的電容值.因此,GaN HEMT晶體管具有更高的開關速度,更高的工作頻率,提高了功率密度和整... (來源:解決方案頻道)
電源管理AC/DC轉換器DC/DC轉換器開關電源 GaN HEMT Infineon2EDN7(8)52x 2020-10-13 15:19