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ADI公司的 ADL8105是砷化鎵(GaAs)單片微波集成電路(MMIC) 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器, 工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz. 在12 GHz至17 GHz范圍內(nèi),ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪聲系數(shù)和30.5 dBm典型輸出三階交調(diào)截點(OIP3)以及高達(dá)20.5 dBm的飽和輸出功率(PSAT), 采用5 V電源... (來源:解決方案頻道)
微波通信 衛(wèi)星通信砷化鎵(GaAs) 單片微波集成電路(MMIC) 儀器儀表 ADI ADL8105 2022-8-16 15:29
ST公司的VIPERGAN50是高壓轉(zhuǎn)換器,設(shè)計用于中功率準(zhǔn)諧振ZVS (開關(guān)時零電壓開關(guān))反激轉(zhuǎn)換器,能夠在大范圍內(nèi)提供輸出功率高達(dá)50W. VIPERGAN50集成了完整的特性,提供極靈活特性和容易使用芯片,有助于設(shè)計高效率離線電源.ZVS準(zhǔn)諧振工作和動態(tài)消隱時間特性以及谷同步功能,它經(jīng)常在漏極共振的谷底打開功率開關(guān)... (來源:解決方案頻道)
電源管理 GaN HEMT 高壓轉(zhuǎn)換器 ST VIPERGAN50 2022-6-30 13:42
Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增強模式氮化鎵(GaN)功率晶體管,它比硅器件具有基本優(yōu)勢,特別是更高的臨界電場非常適合功率半導(dǎo)體器件,具有杰出動態(tài)開關(guān)電阻和更小電容,使得GaN HEMT更適合高速開關(guān)應(yīng)用.GaN功率晶體管最重要的特性是反向恢復(fù)性能. Infineon公司的CoolGaN™晶體管... (來源:解決方案頻道)
電源管理DC/DC轉(zhuǎn)換器 CoolGaN Infineon 2022-6-22 16:35
Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強隔離高壓增強型GaN HEMT柵極驅(qū)動器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關(guān)在”開”態(tài)需要幾mA的連續(xù)柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關(guān)瞬態(tài),需要負(fù)的”關(guān)”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅(qū)動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關(guān)動態(tài)的占空比依... (來源:解決方案頻道)
電源管理 柵極驅(qū)動器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
ST公司的MASTERGAN5是高功率密度兩個增強模式GaN功率HEMT的600V半橋驅(qū)動器,具有先進(jìn)的功率系統(tǒng)級封裝(SiP),集成了柵極驅(qū)動器和兩個半橋配置的增強模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN具有650V漏極-源極電壓和450 mΩ的RDS(ON).同時嵌入的柵極驅(qū)動器的高邊很容易由集成的自舉二極管進(jìn)行供電.MASTERGAN5在低和... (來源:解決方案頻道)
電源管理開關(guān)電源SMPSDC/DC轉(zhuǎn)換器DC/AC轉(zhuǎn)換器GaN功率晶體管 ST MASTERGAN5 2021-9-17 14:38
On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動器,設(shè)計以滿足驅(qū)動離線模式,半橋功率拓?fù)涞脑鰪娔J骄w管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關(guān)的嚴(yán)格要求.NCP51820具有短和匹配的傳輸時延和先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅(qū)動和-3.5V到+3.5V共模電... (來源:解決方案頻道)
電源管理GaNAC/DC轉(zhuǎn)換器 On SemiNCP51820NCP13992 2021-8-24 13:36
ST公司的MASTERGAN4是先進(jìn)功率系統(tǒng)級封裝(SiP),集成了柵極驅(qū)動器和兩個半橋配置的增強模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN有650V漏極-源極阻斷電壓,RDS(ON) 為225 mΩ.而高邊嵌入柵極驅(qū)動器能很容易由集成的陰極負(fù)載二極管供電.MASTERGAN4在低和高邊驅(qū)動部分具有UVLO保護(hù),從而防止功率開關(guān)工作在低效率或危... (來源:解決方案頻道)
電源管理GaN功率晶體管 ST MASTERGAN4 2021-8-23 13:43
ADI公司的ADCA3270是24V功率倍增放大器微波單片集成電路(MMIC),1218 MHz時的功率增益為25dB.采用砷化鎵(GaAs),高電子遷移率晶體管異質(zhì)結(jié)構(gòu)(pHEMT)和氮化鎵(GaN) HEMT技術(shù),進(jìn)行先進(jìn)的電路設(shè)計,器件的RF輸出功率高達(dá)73 dBmV復(fù)合功率.DC電流和電源電壓可由外部進(jìn)行調(diào)整,以得到輸出電平范圍內(nèi)的最佳失真性能... (來源:解決方案頻道)
消費類電子有線電視CATVDOCSIS 3.1GaAsGaN HEMT ADI ADCA3270 2021-8-9 16:32
On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動器,設(shè)計滿足驅(qū)動增強模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要求. NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動時共模電壓范圍... (來源:解決方案頻道)
電源管理 GaN功率開關(guān)柵極驅(qū)動器 On Semi NCP51820 2021-7-13 14:17
ST公司的MASTERGAN1是先進(jìn)的功率系統(tǒng)級封裝,集成了柵極驅(qū)動器和兩個增強模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅(qū)動器很容易有集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅(qū)動兩部分有UVLO保護(hù),從而阻止了功率開關(guān)工作在... (來源:解決方案頻道)
電源管理 GaN HEMT STMASTERGAN1 2021-6-15 16:30
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