前往首頁 聯系我們 網站地圖
Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增強模式氮化鎵(GaN)功率晶體管,它比硅器件具有基本優勢,特別是更高的臨界電場非常適合功率半導體器件,具有杰出動態開關電阻和更小電容,使得GaN HEMT更適合高速開關應用.GaN功率晶體管最重要的特性是反向恢復性能. Infineon公司的CoolGaN™晶體管... （來源：解決方案頻道）
電源管理DC／DC轉換器 CoolGaN Infineon 2022-6-22 16:35
Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強隔離高壓增強型GaN HEMT柵極驅動器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關在”開”態需要幾mA的連續柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關瞬態,需要負的”關”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關動態的占空比依... （來源：解決方案頻道）
電源管理 柵極驅動器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
Maxim公司的MAX22203是集成電流檢測的65V 3.8A兩路有刷馬達和單個步進馬達驅動器,具有PWM輸入和精確的電流驅動調節(CDR).每個H橋可單獨地控制,有非常低的RON(高邊+低邊)0.3Ω(TA = 25C),導致了高驅動效率和產生低熱量.MAX22203可用來驅動兩個有刷DC馬達或單個步進馬達.器件具有過流保護(OCP),熱關斷(TSD... （來源：解決方案頻道）
電源管理馬達驅動步進馬達 Maxim MAX22203 2021-7-22 16:30
Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強隔離的高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動器.CoolGaN™和相近GaN開關在”開態”時需要連續柵極電流幾個mA,而由于低閾值電壓和極快開關瞬態,還需要負”關態”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器滿足這些要求,但是它依賴于開關動態的占空比特性和缺少負柵極驅動.Infine... （來源：解決方案頻道）
工業控制GaN HEMT柵極驅動器 Infineon 1EDF5673K 2021-1-13 12:55
TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅動器開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供... （來源：解決方案頻道）
電源管理GaN FET太陽能UPS TI LMG3425R050600V 2020-12-30 12:02
TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅動器是開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供... （來源：解決方案頻道）
電源管理GaN FET太陽能UPS TI LMG3422R030 2020-12-10 14:26
Infineon公司的IGOT60R070D1是CoolGaN™ 600 V增強氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT),具有最高質量的最高的效率和功率密度.增強模式晶體管通常處于開關態(OFF),具有超快開關速度,沒有反向恢復的電荷,并能反向導通.器件具有低柵極電荷,低輸出電荷,以及優越的換向堅固性,工業應用具有JEDEC標準資... （來源：解決方案頻道）
電源管理開關電源增強GaNCoolGaNHEMT Infineon IGOT60R070D1 2020-12-4 12:01
Microchip公司的LAN9254是集成了以太網PHY和解復用HBI / 32 DIGIO的2/3端口EtherCAT®從控制器,包含全雙工100BASE-TX收發器,支持100Mbps (100BASE-TX)工作. LAN9254支持HP Auto-MDIX,允許直接連接或通過LAN電纜,也支持EtherCAT P和信號質量指數PHY診斷. LAN9254包括EtherCAT從控制器和8KB雙端口存儲... （來源：解決方案頻道）
以太網EtherCAT Microchip LAN9254 2－3 2020-10-9 11:12
Infineon公司的IGT60R070D1是600V CoolGaN™氮化鎵增強模式功率晶體管,具有超快的開關速度,沒有反向恢復電荷,能夠反向導通,低柵極電荷和低輸出電荷,優越的換向堅固性,根據JEDEC標準(JESD47和JESD22)具有工業應用的資質.提高了系統效率和功率密度,更高的工作頻率,降低系統成本和降低EMI.采用CoolGa... （來源：解決方案頻道）
電源管理DC／DC轉換器氮化鎵CoolGaNInfineon IGT60R070D1 2020-9-28 14:52
Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過在體二極管的零反向恢復電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開開關,理想的D類音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類放大器線... （來源：解決方案頻道）
D類放大器GaN HEMTInfineon IGT40R070D1 E8220 2020-9-15 14:42
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到29條【JEDEC】相關的解決方案。
![[原創]Infineon 600V CoolGaN 3600W LLC DC/DC轉換器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202206/sm_20220622163535.jpg)
![[原創]Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN 柵極驅動方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202205/sm_20220510142037.jpg)
![[原創]Maxim MAX22203集成電流檢測65V 3.8A馬達驅動解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202107/sm_20210722163030.gif)
![[原創]Infineon 1EDF5673K單路高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202101/sm_20210113125510.gif)
![[原創]TI LMG3425R050600V 50mΩGaN FET解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202012/sm_20201230115635.gif)
![[原創]TI LMG3422R030 600V 30mΩGaN FET應用評估方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202012/sm_20201210142626.jpg)
![[原創]Infineon IGOT60R070D1 600 V增強GaN功率晶體管應用方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202012/sm_20201204115646.jpg)
![[原創]Microchip LAN9254 2－3端口EtherCAT從控制器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202010/sm_20201009111216.jpg)
![[原創]Infineon IGT60R070D1GaN3．6kW全橋LLC DC－DC轉換器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202009/sm_20200928145231.jpg)
![[原創]Infineon IGT40R070D1 E8220 400V GaN D類放大器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202009/sm_20200915144240.jpg)
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博