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9月3日，SK海力士公司宣布，該公司已經(jīng)在韓國(guó)利川的M16制造工廠安裝了首個(gè)商用High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻）系統(tǒng)并投入量產(chǎn)。 在該系統(tǒng)安裝的活動(dòng)中，SK海力士研發(fā)部長(zhǎng)Cha Seon Yong、制造技術(shù)部長(zhǎng)Lee Byoungki和ASML日本SK海力士客戶團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Byeong-Chan共同慶祝了生產(chǎn)下一代DRAM的設(shè)... （來源：新聞?lì)l道）
SK海力士High NA EUV光刻機(jī) 2025-9-4 10:39
7月16日，光刻機(jī)大廠ASML發(fā)布了2025年第二季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收及凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)了不錯(cuò)的同比增長(zhǎng)，新增訂單和毛利率也高于預(yù)期。ASML在該季度還交付了首臺(tái)第二代 High NA EUV 光刻機(jī)TWINSCAN EXE:5200B。 但由于日益緊張的地緣政治、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)、關(guān)稅、出口管制等因素的影響，ASML對(duì)于三季度和2025年的營(yíng)... （來源：新聞?lì)l道）
ASML 2025-7-17 15:02
據(jù)雅虎財(cái)經(jīng)報(bào)道，英特爾新任CEO陳立武正考慮對(duì)其晶圓代工業(yè)務(wù)進(jìn)行重大調(diào)整，停止向外部客戶推銷其長(zhǎng)期開發(fā)的尖端制程技術(shù)，其中就包括不再向外部客戶推銷Intel 18A和后續(xù)的演進(jìn)版本的Intel 18A-P制程。如果該消息屬實(shí)，那么將意味著英特爾需要對(duì)已經(jīng)投入數(shù)十億美元開發(fā)成本Intel 18A制程計(jì)提相關(guān)損失。... （來源：新聞?lì)l道）
英特爾Intel 18A 2025-7-3 10:15
在臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電表示無需使用High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)來制造其A14 (1.4nm) 工藝的芯片。 臺(tái)積電在研討會(huì)上介紹了A14工藝，并表示預(yù)計(jì)將于2028年投入生產(chǎn)。此前，臺(tái)積電曾表示A16工藝將于2026年底問世，而且也不需要使用High NA EUV光刻設(shè)備。 據(jù)悉，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副... （來源：新聞?lì)l道）
臺(tái)積電A14A16光刻機(jī) 2025-4-30 15:46
英特爾 CEO 帕特・基辛格在 2024 財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)公布后的投資者電話會(huì)議上再次確認(rèn)了 Intel 10A 這一尚未正式官宣制程節(jié)點(diǎn)的存在。他表示：除了 Intel 18A 外我們還在推進(jìn) Intel 14A 和 Intel 10A 的開發(fā)。……隨著我們將 Intel 4 和 3 的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到愛爾蘭（的量產(chǎn)晶圓廠），我們的 TD（T... （來源：新聞?lì)l道）
英特爾 Intel 10A 2024-8-5 09:15
英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。正在順利推進(jìn)中的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)，將繼續(xù)采用EUV技術(shù)，并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)，助力英特爾于2025年重奪制程領(lǐng)先性... （來源：新聞?lì)l道）
英特爾節(jié)點(diǎn)技術(shù)EUV技術(shù) 2024-5-11 08:40
繪制精細(xì)電路的第一步金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。可見，制造更小的MOSFET成了關(guān)鍵因素，并且想制成微細(xì)的電路，第一步... （來源：技術(shù)文章頻道）
半導(dǎo)體 光刻 2023-1-12 15:24
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SK海力士High NA EUV光刻機(jī) 2025-9-4 10:39
ASML 2025-7-17 15:02
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