前往首頁 聯系我們 網站地圖
為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32
Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）產品；其采用緊湊型無引腳表面貼裝（TOLL）封裝，可帶來卓越的斷路器設計和性能。點擊此處了解更多。“我們正處于斷路器技術下一輪革命的初期階段。”Qorvo業務發展經理Andy Wilson表示，“固態電路斷路器要在市場上取得成功，就... （來源：新品頻道）
Qorvo電路保護固態斷路器 2024-9-11 09:36
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠... （來源：新品頻道）
Qorvo TOLL 封裝 SiC JFET 斷路器技術 2024-6-13 09:50
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、... （來源：新品頻道）
Qorvo SiC FET 電動汽車 2024-1-30 14:48
提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo®收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在... （來源：新品頻道）
D2PAK－7L 封裝UJ4C／SC SiC FET 2022-9-23 14:09
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）和 IT/... （來源：新品頻道）
UnitedSiCQorvoSiC FET 2022-8-4 10:02
提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC（現已被Qorvo®收購）的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET，為過流保護電路、DC-AC逆變器、開關電源 、功率因數校正... （來源：新品頻道）
貿澤電子QorvoUnitedSiCUF3N170400B7S 2022-4-29 16:11
領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，現已發布業界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發布的產品包括750... （來源：新品頻道）
UnitedSiC6mΩ SiC FET 2021-9-14 09:29
美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時具有業界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標準硅器件，使工程師可以采用比分立設計方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構建開關電路。 ... （來源：新品頻道）
UnitedSiCSiC FET器件DFN 8x8表面貼裝封裝 2020-2-4 11:20
安捷倫科技公司日前宣布推出業界首款能夠自動表征實際工作電壓下功率器件節點電容的功率器件電容分析儀。 隨著新材料（SiC 和 GaN 等）功率器件的使用日益廣泛，開關電源的工作頻率不斷提高。因此，精確表征器件電容的重要性空前凸顯。憑借可自動精確測量高偏置電壓下的所有輸入、輸出和反向傳輸功率器... （來源：新品頻道）
安捷倫功率器件電容分析儀 2014-7-11 11:19
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到11條【SiC JFET】相關的新品。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博