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至信微電子最新推出的ED3封裝2000V/600A高壓SiC MOSFET功率模塊，采用第三代SiC MOSFET芯片技術，集成了SiC二極管，在高溫環境下表現出卓越的導通電阻RDS(on)與二極管正向壓降(VSD)。該模塊具備更快的開關響應、更高的工作效率、更優的系統可靠性以及更出色的功率轉換效率，廣泛適用于高頻應用場景，并... （來源：新品頻道）
至信微電子ED3MOSFET 2025-9-15 11:10
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率... （來源：新品頻道）
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，將工業應用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電... （來源：新品頻道）
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業 2025-7-1 11:20
－四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度－ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的... （來源：新品頻道）
東芝MOSFET 2025-5-20 12:03
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一... （來源：新品頻道）
羅姆SiC MOSFETs 2025-5-14 13:28
在全球新能源汽車加速普及的今天，續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點，高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切，1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新... （來源：新品頻道）
聞泰科技SiC MOSFET 2025-5-14 09:27
中恒微推出Drive ED3 （EconoDUAL™ 3）封裝的SiC功率模塊，使用平面柵（planer gate）SiC MOSFET芯片技術，在高溫下具有優異的RDS（ON）表現，標準封裝具有良好的適配性。能夠提供更高的可靠性、更高的轉換效率、更高的頻率應用以及更大的功率密度。主要應用于新能源汽車、儲能變流器、電能質量、... （來源：新品頻道）
中恒微Drive ED3封裝SiC 2025-5-13 10:56
羅姆SiC MOSFETs 2025-5-13 09:23
STGAP4S具有高集成度、電隔離和診斷功能 2025年5月12日，中國——意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規柵極驅動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能，確保電驅系統通過ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅動器集成模數轉換器 (ADC) 和反激... （來源：新品頻道）
意法半導體柵極驅動器STGAP4S 2025-5-12 15:41
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