英飛凌TRENCHSTOP™ IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)(650V&1200V)和三個(gè)系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EV charger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。... (來(lái)源:解決方案頻道)
儲(chǔ)能系統(tǒng)二極管IGBT 2023-10-27 09:53
Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強(qiáng)隔離高壓增強(qiáng)型GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關(guān)在”開”態(tài)需要幾mA的連續(xù)柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關(guān)瞬態(tài),需要負(fù)的”關(guān)”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅(qū)動(dòng)器完全滿足這些要求,但是,它受到開關(guān)動(dòng)態(tài)的占空比依... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
Silabs公司的Si828x系列(Si8281/82/83/84)組合了隔離大電流柵極驅(qū)動(dòng)器和集成了系統(tǒng)安全性和反饋功能.該系列產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)逆變器和馬達(dá)控制應(yīng)用中所用的碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT.Si828x系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器采用Silicon Labs公司的專有的硅隔離技術(shù),支持耐受電壓高達(dá)5.0 kVrmper UL1577.這種技... (來(lái)源:解決方案頻道)
SiCIGBTMOSFET驅(qū)動(dòng)器 SilabsSi828x 2021-6-2 14:53
Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強(qiáng)隔離的高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器.CoolGaN™和相近GaN開關(guān)在”開態(tài)”時(shí)需要連續(xù)柵極電流幾個(gè)mA,而由于低閾值電壓和極快開關(guān)瞬態(tài),還需要負(fù)”關(guān)態(tài)”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅(qū)動(dòng)器滿足這些要求,但是它依賴于開關(guān)動(dòng)態(tài)的占空比特性和缺少負(fù)柵極驅(qū)動(dòng).Infine... (來(lái)源:解決方案頻道)
工業(yè)控制GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器 Infineon 1EDF5673K 2021-1-13 12:55
Infineon公司的IGOT60R070D1是CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT),具有最高質(zhì)量的最高的效率和功率密度.增強(qiáng)模式晶體管通常處于開關(guān)態(tài)(OFF),具有超快開關(guān)速度,沒有反向恢復(fù)的電荷,并能反向?qū)?器件具有低柵極電荷,低輸出電荷,以及優(yōu)越的換向堅(jiān)固性,工業(yè)應(yīng)用具有JEDEC標(biāo)準(zhǔn)資... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理開關(guān)電源增強(qiáng)GaNCoolGaNHEMT Infineon IGOT60R070D1 2020-12-4 12:01
Infineon公司的600 V CoolGaN高壓GaN開關(guān)是單路絕緣柵驅(qū)動(dòng)器,是GaN EiceDRIVER™系列產(chǎn)品. CoolGaN™增強(qiáng)模式HEMT是Infineon公司的EiceDRIVER™ IC中1EDF5673K, 1EDF5673F 和1EDS5663H最好驅(qū)動(dòng)器.單路電流絕緣VIO=1500VDC,輸出脈沖寬度大于18ns,傳輸時(shí)延精度13ns,降低死區(qū)損壞多達(dá)50%,可... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理 GaN開關(guān) 絕緣柵驅(qū)動(dòng)器 2020-2-21 11:45
Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1是雙路SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì),是開源解決方案,提供了用戶友好的設(shè)計(jì)指南,使得用戶采用MicrosemiSiC MOSFET能更快地走向市場(chǎng).參考設(shè)計(jì)還支持過度到下代SiC MOSFET,新的參考設(shè)計(jì)為用戶提供了高度絕緣的SiC MOSFET雙柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān),用作評(píng)估各種拓?fù)渲蠸iC MOSFET的方法.這... (來(lái)源:解決方案頻道)
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 2019-9-3 11:42