作者:張翔 2025 年春節期間,幻方量化的DeepSeek大模型迅速出圈,引發了海內外學術界、產業界、資本界的高度關注,標志著生成式人工智能行業從“算力軍備競賽”轉向 “算法效率戰爭”,并進一步加劇了“數據資本賽跑 ”。 在制造業方面,中國擁有完備的... (來源:新聞頻道)
生成式AI制造業 2025-2-28 09:06
摘要隨著傳統DRAM器件的持續縮小,較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響,未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容,并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明,與6F2結構相比,4F2結... (來源:技術文章頻道)
DRAM器件 寄生電容 泛林集團 2024-11-14 10:50
虛擬半導體工藝建模是研究金屬線設計選擇更為經濟、快捷的方法 作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合部高級經理 Daebin Yim• 由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問題,半導體行業正在尋找替代銅的金屬線材料。• 在較小尺寸中,釕的性能優于銅和鈷,因此是較有潛力的替... (來源:技術文章頻道)
工藝建模金屬線材料電阻電容 2024-4-8 15:17
大面積分析技術可以預防、探測和修復熱點,從而將系統性、隨機性和參數缺陷數量降至最低,并最終提高良率 作者:泛林集團半導體工藝與整合高級經理 Jacky Huang• 通過虛擬工藝開發工具加速半導體工藝熱點的識別• 這些技術可以節約芯片制造的成本、提升良率設計規則檢查 (DRC) 技術用于芯... (來源:技術文章頻道)
3D模型 半導體制造 2D DRC 2024-3-4 16:02
SEMulator3D 工藝建模在開發早期識別工藝和設計問題,減少了開發延遲、晶圓制造成本和上市時間作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合部經理 Brett Lowe現代半導體工藝極其復雜,包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時,上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預... (來源:技術文章頻道)
SEMulator3D 模型3D NAND虛擬工藝晶圓制造 2024-1-29 16:05
與泛林一同探索先進節點上線邊緣粗糙度控制的重要性 作者:Coventor(泛林集團旗下公司)半導體工藝與整合團隊成員Yu De Chen介紹由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔,這會導致更高的金屬線... (來源:技術文章頻道)
線邊緣粗糙度(LER)先進節點芯片 2023-6-12 14:49
作者:Coventor(泛林集團旗下公司)半導體工藝與整合(SPI)高級工程師王青鵬博士實驗設計(DOE)是半導體工程研發中一個強大的概念,它是研究實驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經過精心設計,工程師就可以使用有限的實驗晶圓及試驗成本實現半導體器件的目標性能。然而,在半導體設計和制造... (來源:技術文章頻道)
DOE 半導體工藝 泛林集團 2023-4-17 13:37
新思科技(納斯達克股票代碼:SNPS)近日宣布推出射頻(RF)設計參考流程和配套的設計解決方案套件(DSK),以加快三星電子(以下簡稱為"三星")的8nm射頻低功耗FinFET工藝的設計并提高產能,從而幫助雙方客戶加速開發用于5G/6G應用中的射頻設計。8nm射頻設計參考流程采用了新思科技和Ansys的無縫整合的... (來源:新聞頻道)
新思三星5G6G SoC 2022-8-11 10:48
半導體存儲器的發展背景世界上最早的全電子化存儲器是1947年在曼徹斯特大學誕生的威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube),其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數據的“點”。從那時起,計算機內存開始使用磁存儲技術并經歷了數代演變,相關系統包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅動器和磁... (來源:技術文章頻道)
半導體存儲器 DRAM工藝 晶圓制造 2021-10-13 12:25
3月17日,全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團攜旗下頂尖半導體制造工藝與技術亮相中國半導體行業頂級盛事SEMICON China 2021,與來自行業各界的專業人士齊聚滬上,共話新常態下半導體產業的發展趨勢。 把握變局機遇,探索產業變革趨勢 在大會開幕式上,來自全球的半導體業界領袖就全球... (來源:新聞頻道)
泛林集團 2021-3-18 10:23