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9月3日，SK海力士公司宣布，該公司已經(jīng)在韓國利川的M16制造工廠安裝了首個商用High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻）系統(tǒng)并投入量產(chǎn)。 在該系統(tǒng)安裝的活動中，SK海力士研發(fā)部長Cha Seon Yong、制造技術(shù)部長Lee Byoungki和ASML日本SK海力士客戶團隊負責人Kim Byeong-Chan共同慶祝了生產(chǎn)下一代DRAM的設(shè)... （來源：新聞頻道）
SK海力士High NA EUV光刻機 2025-9-4 10:39
據(jù)清華大學官網(wǎng)介紹，日前，清華大學化學系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計策略。 隨著集成電路工藝向7nm及以下節(jié)點推進，13.5nm波長的EUV光刻成為核心技術(shù)。 但EUV光源反射損耗大、亮度... （來源：新聞頻道）
EUV光刻膠清華大學 2025-7-24 16:03
據(jù)Tom’s hardware 的報導，日本新創(chuàng)晶圓代工廠商Rapidus 已經(jīng)啟動了2nm制程晶圓的測試生產(chǎn)，并計劃推動其IIM-1 廠區(qū)的2nm制程在2027年量產(chǎn)。 報道稱，Rapidus的IIM-1 廠區(qū)已經(jīng)展開對采用2nm環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)的測試晶圓進行原型制作。Rapidus公司確認，早期測試晶圓已達到預期的電... （來源：新聞頻道）
Rapidus2nm 2025-7-21 10:44
7月16日，光刻機大廠ASML發(fā)布了2025年第二季度財報，營收及凈利潤均實現(xiàn)了不錯的同比增長，新增訂單和毛利率也高于預期。ASML在該季度還交付了首臺第二代 High NA EUV 光刻機TWINSCAN EXE:5200B。 但由于日益緊張的地緣政治、宏觀經(jīng)濟形勢、關(guān)稅、出口管制等因素的影響，ASML對于三季度和2025年的營... （來源：新聞頻道）
ASML 2025-7-17 15:02
據(jù)Tweakers.net 和ED 等荷蘭主流新聞媒體報道，ASML在與荷蘭埃因霍芬（Eindhoven）市政府官員共同進行的都市發(fā)展計劃初始簡報中表示，公司的員工將于2028年遷入其位于埃因霍芬附近全新的Brainport Industries Campus園區(qū)。 報導指出，這個Brainport Industries Campus 的擴產(chǎn)計劃大約在一年前首次公... （來源：新聞頻道）
ASML 2025-5-9 15:06
在臺積電北美技術(shù)研討會上，臺積電表示無需使用High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機來制造其A14 (1.4nm) 工藝的芯片。 臺積電在研討會上介紹了A14工藝，并表示預計將于2028年投入生產(chǎn)。此前，臺積電曾表示A16工藝將于2026年底問世，而且也不需要使用High NA EUV光刻設(shè)備。 據(jù)悉，臺積電業(yè)務發(fā)展高級副... （來源：新聞頻道）
臺積電A14A16光刻機 2025-4-30 15:46
全球半導體行業(yè)年度盛會SEMICON China 2025在上海隆重舉辦。展會期間，全球知名半導體制造設(shè)備商TOKYO ELECTRON（簡稱TEL）于27日舉行媒體交流會，TEL集團副總裁兼中國區(qū)總裁赤池昌二，中國區(qū)高級顧問陳捷，中國區(qū)戰(zhàn)略與市場副總經(jīng)理倪曉峰出席交流會并致辭；來自集成電路領(lǐng)域的嘉賓、權(quán)威媒體代表受邀... （來源：新聞頻道）
TELSEMICON China 2025 2025-4-1 09:58
美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設(shè)計的1γ（1-gamma）第六代（10納米級）DRAM節(jié)點DDR5內(nèi)存樣品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM節(jié)點的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應用... （來源：新聞頻道）
美光DRAM 2025-2-28 11:01
開始供應用于下一代半導體的高NA EUV光掩模樣品Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功實現(xiàn)超2nm（nm：10-9米）一代1邏輯半導體光掩模所需的精細圖案分辨率，支持半導體制造領(lǐng)域的尖端工藝——極紫外光（EUV）光刻技術(shù)。 用于超2nm一代EUV光刻的光掩模圖像（照片：美國商業(yè)資訊） DN... （來源：新聞頻道）
DNP EUV光刻 2024-12-13 09:55
全球半導體行業(yè)正處于爆炸性增長的軌道上，預計到2030年市場規(guī)模將達到驚人的1萬億美元（2023年超過5000億美元）。這種擴張主要由微處理器的持續(xù)小型化和不斷增強的性能所推動。每一代更小、更強大的芯片都使得全新的技術(shù)成為可能，同時也降低了現(xiàn)有應用的成本。這創(chuàng)造了一個"良性循環(huán)"，其中芯片技術(shù)的... （來源：新聞頻道）
半導體創(chuàng)新光刻晶圓檢測 2024-9-6 09:15
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