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X－FAB現(xiàn)推出GaN－on－Si代工服務

X－FAB現(xiàn)推出GaN－on－Si代工服務

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，憑借其在高功率應用領域氮化鎵（GaN）加工技術(shù)方面的專業(yè)優(yōu)勢，X-FAB基于其XG035技術(shù)平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）代工服務。此舉進一步發(fā)揮和強化了X-FAB作為專業(yè)純晶圓代工企業(yè)... （來源：新聞頻道）

X FABGaN on Si代工服務 2025-9-5 14:31

港股市場迎GaN芯片獨角獸英諾賽科掀起新一輪投資盛宴

港股市場迎GaN芯片獨角獸英諾賽科掀起新一輪投資盛宴

在經(jīng)歷近三個季度的放緩后，2024年下半年以來港股IPO重返活躍，投資者信心日益增強，內(nèi)地企業(yè)來港上市步伐加快。經(jīng)統(tǒng)計，截至12月30日，全年共有70家新股登陸港交所，內(nèi)地企業(yè)62家占比88%，其余9家來自本港、新加坡及美國。30日，在氮化鎵（GaN）功率半導體領域獨占鰲頭的明星企業(yè)英諾賽科（2577.HK）登... （來源：新聞頻道）

英諾賽科 GaN芯片 2025-1-2 09:56

三菱電機開始提供采用12英寸晶圓制成的功率半導體芯片

三菱電機開始提供采用12英寸晶圓制成的功率半導體芯片

12英寸Si晶圓切割工藝（將晶圓切割成芯片）12英寸Si晶圓生產(chǎn)線和制造的晶圓（左側(cè)為12英寸Si晶圓，右側(cè)為同一工廠制造的8英寸Si晶圓）三菱電機集團近日（2024年9月30日）宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)模供應采用12英寸硅（Si）晶圓制造的功率半導體芯片，用于... （來源：新聞頻道）

三菱電機 Si晶圓功率半導體 2024-10-11 09:30

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。作者：Littelfuse產(chǎn)品工程師Sachin Shridhar Paradkar、產(chǎn)品經(jīng)理Raymon Zhou和產(chǎn)品總監(jiān)José... （來源：技術(shù)文章頻道）

高壓分立Si MOSFET 2023-9-27 15:41

高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用

高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用

作者：Littelfuse產(chǎn)品工程師Sachin Shridhar Paradkar、產(chǎn)品經(jīng)理Raymon Zhou 和產(chǎn)品總監(jiān)José Padilla在現(xiàn)今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本... （來源：技術(shù)文章頻道）

Si MOSFET Littelfuse 2023-7-7 16:11

大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅(qū)動電源方案

大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅(qū)動電源方案

2022年9月15日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅(qū)動電源方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅(qū)動電源方案的展示板圖隨著人們對燈具品質(zhì)的要求越來... （來源：技術(shù)文章頻道）

200W LED驅(qū)動電源 LED驅(qū)動器 INN650D01場效應晶體管 2022-9-15 13:05

碳化硅如何為電機驅(qū)動賦能

碳化硅如何為電機驅(qū)動賦能

近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起，即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用... （來源：技術(shù)文章頻道）

電機驅(qū)動碳化硅 2021-8-10 09:45

CMOS傳感器發(fā)展—像素間距擴展賽打響

CMOS傳感器發(fā)展—像素間距擴展賽打響

經(jīng)過一段時間創(chuàng)紀錄的增長，CMOS圖像傳感器市場開始面臨一些新的挑戰(zhàn)。 CMOS在智能手機和其他產(chǎn)品中提供相機功能，但現(xiàn)在它們在fab中面臨規(guī)模化和相關制造問題。和所有的芯片產(chǎn)品一樣，在毒爆發(fā)期間，圖像傳感器的增長正在放緩。這些傳感器在200毫米和300毫米晶圓廠的成熟節(jié)點上制造，并用于... （來源：新聞頻道）

CMOS傳感器智能手機 2020-4-26 10:36

臺積電攜手意法，搶車用GaN代工市場

臺積電攜手意法，搶車用GaN代工市場

看準未來化合物半導體的發(fā)展，意法半導體(ST)與晶圓代工龍頭臺積電宣布攜手合作，加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。而透過此合作，意法半導體將采用臺積電的氮化鎵制成技術(shù)，來生產(chǎn)其創(chuàng)新與策略性的氮化鎵產(chǎn)品。臺積電指出，氮化鎵是一... （來源：新聞頻道）

臺積電意法GaN代工市場 2020-2-21 10:28

背照式(BSI)圖像傳感器

背照式(BSI)圖像傳感器是指采用從背面對傳感器進行照明，即采用背面照度技術(shù)(BSI）的傳感器。 BSI技術(shù)概述　　采用BSI構(gòu)建像素，光線無需穿過金屬互連層(見圖3)。然而，這仍然對光路徑帶來一些限制，幸運的是，促使FSI技術(shù)不斷改進的許多知識和技術(shù)進步可以直接應用于BSI技術(shù)，從而為提高 BSI 性能... （來源：電子百科頻道）

BSI圖像傳感器 2011-12-1 10:11

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