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按照龍芯中科官方的說法，龍芯3C6000具有性價比優(yōu)勢，已經(jīng)得到客戶的認可。 龍芯中科表示，由于3C6000 CPU系列產(chǎn)品具有良好的性價比，其在OEM設備中的應用非常廣泛。該公司最近展示了3C6000 CPU系列產(chǎn)品的強大性能，其性能足以匹敵英特爾第三代至強處理器和至強鉑金8380處理器。 雖然3C6000的目標... （來源：新聞頻道）
龍芯3C6000 2025-9-15 15:31
臺媒《工商時報》今日援引供應鏈的消息表示，英偉達考慮率先導入臺積電首個采用背面供電 (BSPDN) 技術的先進制程節(jié)點 A16。 報道指出，英偉達上次使用臺積電最先進制程技術制造芯片還是 110nm 時期，即 2004 年的 NV43 芯片。而英偉達之所以打破了這持續(xù) 20 余年的“常規(guī)”，是因為其看上... （來源：新聞頻道）
英偉達臺積電先進制程 2025-9-15 13:12
9月2日，半導體研究機構TechInsights發(fā)布了一份最新的研究報告，披露了2024年全球半導體企業(yè)投資排名前20位的廠商名單。報告顯示，深陷“財務危機”的英特爾依舊以165.46億美元的研發(fā)投入占據(jù)著第一的位置，緊隨其后的前十廠商分別是英偉達、三星電子、博通、高通、AMD、臺積電、聯(lián)發(fā)科、美光... （來源：新聞頻道）
半導體研發(fā)英特爾三星 2025-9-4 13:48
9月3日，SK海力士公司宣布，該公司已經(jīng)在韓國利川的M16制造工廠安裝了首個商用High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻）系統(tǒng)并投入量產(chǎn)。 在該系統(tǒng)安裝的活動中，SK海力士研發(fā)部長Cha Seon Yong、制造技術部長Lee Byoungki和ASML日本SK海力士客戶團隊負責人Kim Byeong-Chan共同慶祝了生產(chǎn)下一代DRAM的設... （來源：新聞頻道）
SK海力士High NA EUV光刻機 2025-9-4 10:39
據(jù)臺媒Digitimes報道，中國DRAM廠商長鑫存儲（CXMT）正在積極推進其DDR5和LPDDR5 DRAM工藝升級。供應鏈消息人士透露，長鑫存儲的樣品近期已通過測試，質(zhì)量已經(jīng)與南亞科技的產(chǎn)品相當，目標2025年底量產(chǎn)。 報道稱，長鑫存儲在2024年年底開始生產(chǎn)其 DDR5 內(nèi)存，不過長鑫存儲當時使用的可能是其相對... （來源：新聞頻道）
DDR5長鑫存儲 2025-7-24 13:07
據(jù)媒體報道，上海交大無錫光子芯片研究院（CHIPX）取得重大進展：其在國內(nèi)首個光子芯片中試線成功下線首片6英寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓，并同步實現(xiàn)了超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片的規(guī)?；慨a(chǎn)。該芯片的關鍵技術指標已達到國際先進水平。 光量子芯片是光量子計算的核心硬件載體... （來源：新聞頻道）
芯片 晶圓 調(diào)制器 2025-6-9 10:02
HBM4 已成為內(nèi)存巨頭的新競技場，三星正通過激進投資縮小與 SK 海力士的差距?？萍济襟w ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）報道稱，三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM（第六代 10nm 級）生產(chǎn)，相關投資將在年底前啟動。 援引博文介紹，SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎技術，而三星大... （來源：新聞頻道）
三星HBM4 2025-5-23 11:26
光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。 韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務進行外包。 據(jù)稱，目前三星已啟動供應商評估流程，候選企業(yè)包括日本... （來源：新聞頻道）
三星ArF EUV 2025-5-14 11:11
據(jù)韓國媒體 sedaily 報導，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級差距”的地位。 VCT DRAM是指將內(nèi)存單元中控制電流流動的晶體管垂直排列的產(chǎn)品。... （來源：新聞頻道）
SK海力士三星DRAM 2025-4-29 15:10
韓媒 SE Daily 援引業(yè)界消息報道稱，三星電子內(nèi)部已制定了在第 7 代 10nm 級 DRAM 內(nèi)存工藝 1d nm 后即導入 VCT 垂直通道晶體管技術的路線圖，相關產(chǎn)品有望最早于 2~3 年內(nèi)面世。 據(jù)悉三星電子在 1d nm 后的下代 DRAM 工藝上曾考慮過 1e nm 和 VCT DRAM 兩種選擇，最終選擇了有望“改變游戲規(guī)則... （來源：新聞頻道）
三星電子DRAM 2025-4-29 09:18
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