作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... (來源:技術文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
常規開關(例如MOSFET或IGBT)通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如,使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管,可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流,但沒有任何門控制。這些設備通??梢酝ㄟ^在背對背(B2B)配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻(... (來源:技術文章頻道)
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A,可驅動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器... (來源:技術文章頻道)
驅動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
在各種應用中,系統效率和功率密度不斷提高,這導致了更高的直流系統電壓。然而,傳統的電路保護解決方案不足以在保持高可靠性和安全性的同時有效保護這些高壓配電系統。固態斷路器 (SSCB) 和電熔斷器具有眾多優點,尤其是低允許通過電流和能量,因此現在正在集成到設計中。本文基于近在 PCIM 2024 博... (來源:技術文章頻道)
SSCB 保護 高壓直流系統 2024-9-20 09:58
電壓鉗位元件對于固態斷路器 (SSCB) 和混合斷路器 (HCB) 來說都是必不可少的,以保護固態開關免受過電壓損壞并吸收系統環路電感中的剩余能量。本文從工作電壓范圍、浪涌電流能力、能量吸收能力、成本等方面比較了各種電壓鉗位元件(例如金屬氧化物壓敏電阻 [MOV]、瞬態電壓抑制 [TVS] 二極管、基于電容... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器 2024-6-20 10:02
作者: 安森美電源方案事業群工業方案部高級總監Sravan Vanaparthy如今,碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應用中帶來的性能優勢已經得到了廣泛認可。不過,SiC 的材料優勢還可能用在其他應用中,其中包括電路保護領域。本文將回顧該領域的發展,同時比較機械保護和使用不同半導體器... (來源:技術文章頻道)
安森美碳化硅固態斷路器 2024-3-5 10:48
作者:Qorvo功率器件高級工程經理Pete Losee寬帶隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的級聯和共封裝硅MOSFET,正在引領降低半導體開關功率損耗的競賽。這種安排產生了一個常關器件,帶有一個簡單的柵極驅動器和一個由“品質因數”組成的獎杯柜,擊敗了所有競爭技術。對于給定電壓等級的器件RDS(A... (來源:技術文章頻道)
Qorvo SiC FET 碳化硅 UJ4SC075005L8S 2023-11-30 15:12
汽車子系統的設計者不斷努力開發創新的解決方案,以延長電動汽車 (EV) 的續航里程并縮短充電時間。為了實現這些目標,他們將硅基技術在尺寸、重量和功率效率方面推向接近物理極限,并正在轉向碳化硅 (SiC) 解決方案來應對這些挑戰。與硅相比,SiC 器件具有更低的導通電阻、更快的開關速度,并且能夠在更... (來源:技術文章頻道)
電動汽車基礎設施 2023-11-3 11:14
作者:安森美 Ajay Sattu 在工業、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展,從而實現更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 (SiC) 器件可再生能源 2023-9-15 15:01