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摘要隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結... （來源：技術文章頻道）
DRAM器件 寄生電容 泛林集團 2024-11-14 10:50
大面積分析技術可以預防、探測和修復熱點，從而將系統性、隨機性和參數缺陷數量降至最低，并最終提高良率 作者：泛林集團半導體工藝與整合高級經理 Jacky Huang• 通過虛擬工藝開發工具加速半導體工藝熱點的識別• 這些技術可以節約芯片制造的成本、提升良率設計規則檢查 (DRC) 技術用于芯... （來源：技術文章頻道）
3D模型 半導體制造 2D DRC 2024-3-4 16:02
SEMulator3D 工藝建模在開發早期識別工藝和設計問題，減少了開發延遲、晶圓制造成本和上市時間作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合部經理 Brett Lowe現代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預... （來源：技術文章頻道）
SEMulator3D 模型3D NAND虛擬工藝晶圓制造 2024-1-29 16:05
使用虛擬制造為先進 DRAM 結構中的電容器形成工藝進行工藝窗口評估和優化 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士 持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優... （來源：技術文章頻道）
工藝窗口DRAM電容器電容器 2023-11-20 10:55
作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克... （來源：技術文章頻道）
DRAM 電容器 泛林集團 2023-11-17 10:42
作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門 SEMulator3D®應用工程總監Benjamin Vincent動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不... （來源：技術文章頻道）
3D DRAM泛林集團存取存儲器 2023-8-4 11:30
與泛林一同探索先進節點上線邊緣粗糙度控制的重要性 作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合團隊成員Yu De Chen介紹由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導致更高的金屬線... （來源：技術文章頻道）
線邊緣粗糙度(LER)先進節點芯片 2023-6-12 14:49
“先人后機”策略將降低半導體工藝開發成本，并加快創新的步伐 近期全球最具權威性的科學期刊Nature雜志發表了近150年來最激動人心且極具突破性的研究：《改進半導體工藝開發的人機協作》，該文章由泛林集團九名研究人員合著。此前曾擔任泛林集團首席技術官的Rick Gottscho博士表示：“我們的研究是... （來源：技術文章頻道）
泛林集團虛擬工藝比賽人工智能 2023-5-29 13:23
作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合(SPI)高級工程師王青鵬博士實驗設計(DOE)是半導體工程研發中一個強大的概念，它是研究實驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經過精心設計，工程師就可以使用有限的實驗晶圓及試驗成本實現半導體器件的目標性能。然而，在半導體設計和制造... （來源：技術文章頻道）
DOE 半導體工藝 泛林集團 2023-4-17 13:37
作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合 (SPI) 高級工程師王青鵬博士負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應晶體管）器件工藝的持續微縮變得越來越重要[1-2]。當晶圓的局部刻蝕速率取決于現有特征尺寸和局部圖形密度時，就會發生負載效應... （來源：技術文章頻道）
FinFET技術虛擬實驗設計 2023-1-13 09:51
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