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據臺媒Digitimes報道，中國DRAM廠商長鑫存儲（CXMT）正在積極推進其DDR5和LPDDR5 DRAM工藝升級。供應鏈消息人士透露，長鑫存儲的樣品近期已通過測試，質量已經與南亞科技的產品相當，目標2025年底量產。 報道稱，長鑫存儲在2024年年底開始生產其 DDR5 內存，不過長鑫存儲當時使用的可能是其相對... （來源：新聞頻道）
DDR5長鑫存儲 2025-7-24 13:07
據報道，三星計劃將用于制造內存芯片的光掩模生產外包。此前，為了防止技術泄露，這家芯片巨頭使用的所有光掩模都是自行生產的。 三星目前正在評估生產低端光掩模（i-line、KrF）的潛在供應商，包括Tekscend Photomask和PKL。前者是日本凸版控股的子公司，后者則歸美國掩模公司Photronics所有。評估... （來源：新聞頻道）
三星電子光掩模 2025-5-15 09:11
光掩模（版）系生產集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。 韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產業務進行外包。 據稱，目前三星已啟動供應商評估流程，候選企業包括日本... （來源：新聞頻道）
三星ArF EUV 2025-5-14 11:11
開始供應用于下一代半導體的高NA EUV光掩模樣品Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功實現超2nm（nm：10-9米）一代1邏輯半導體光掩模所需的精細圖案分辨率，支持半導體制造領域的尖端工藝——極紫外光（EUV）光刻技術。 用于超2nm一代EUV光刻的光掩模圖像（照片：美國商業資訊） DN... （來源：新聞頻道）
DNP EUV光刻 2024-12-13 09:55
據日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和傳... （來源：新聞頻道）
極紫外光刻 半導體 2024-8-5 09:20
NVIDIA cuLitho 可將半導體制造中高度計算密集型的工作負載加快 40-60 倍，并為業界帶來全新的生成式 AI 算法 NVIDIA 于今日宣布，為加快下一代先進半導體芯片的制造速度并克服物理限制，TSMC 和 Synopsys 將在生產中使用 NVIDIA 計算... （來源：新聞頻道）
TSMC Synopsys NVIDIA 2024-3-19 11:32
解決要求半導體進一步微細化和高密度化的問題，為光學器件和數字設備的技術創新做出貢獻開展工業用貴金屬業務的田中貴金屬集團核心企業——田中貴金屬工業株式會社（總公司：東京都 千代田區，執行總裁：田中浩一朗）宣布，確立了使用金-金接合用低溫燒結金AuRoFUSE™的高密度封裝用金（Au）粒子接... （來源：新聞頻道）
田中貴金屬工業半導體高密度封裝用接合技術 2024-3-11 14:34
響應電路線寬日益精細化的半導體市場需求Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功開發出一種光掩膜制造工藝，能夠適應3納米（10-9米）光刻工藝，以支持半導體制造的尖端工藝——極紫外(EUV)光刻。 能夠支持3納米EUV光刻的光掩膜（照片：美國商業資訊） [背景]DNP不斷滿足半導體制造商... （來源：新品頻道）
DNP 3納米EUV光刻 光掩膜 2023-12-13 09:32
光罩護膜 / 薄膜是極紫外 (EUV) 光刻工藝中的關鍵部件，指的是在光罩上展開的一層薄膜，然后用機器在上面繪制要在晶圓上壓印的電路，旨在使光罩免受空氣中微塵或揮發性氣體的污染并減少光掩模損壞，該領域目前仍由荷蘭 ASML、日本三井化學主導，而韓國 S&S Tech 等后來居上者也是主要供應商之一。韓... （來源：新聞頻道）
三星 EUV 薄膜 2023-1-16 15:12
加快推進納米壓印光刻技術在光電制造領域的應用兩家市場領導者開展推廣和技術合作，通過結合各自優勢，提供納米壓印光刻技術開發工具包，并實現大批量生產全球首屈一指的光掩模供應商Toppan Photomask Co. Ltd.與為MEMS、納米技術和半導體市場提供晶圓鍵合及光刻設備的領先供應商EV Group（簡稱EVG）今... （來源：新聞頻道）
納米壓印光刻技術 光電制造 2022-9-20 14:09
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