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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN™ G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡化了功率級(jí)設(shè)計(jì),降低了用料成本。... (來源:新品頻道)
英飛凌肖特基二極管GaN晶體管 2025-4-22 14:00
作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A,可驅(qū)動(dòng)中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標(biāo)10kW+應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器... (來源:技術(shù)文章頻道)
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)模式電源(SMPS)等電池供電應(yīng)用中,電源架構(gòu)通常要求在模塊發(fā)生故障時(shí)能夠斷開該模塊與主電源軌的連接。為實(shí)現(xiàn)這一功能,往往會(huì)采用MOSFET等高邊斷開開關(guān),以防止負(fù)載短路影響電池。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EiceDRIVER™ 1EDL8011,這款高邊柵... (來源:新品頻道)
英飛凌EiceDRIVER 125 V高邊柵極驅(qū)動(dòng)器 2024-10-25 15:17
經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 輸出級(jí)和封裝的多項(xiàng)創(chuàng)新作者:英飛凌科技股份有限公司市場(chǎng)總監(jiān) Hubert Baierl簡介像許多電子領(lǐng)域一樣,進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前,在 3.3 kW 開關(guān)電源 (SMPS) 中,產(chǎn)品效率高達(dá) 98%,1U結(jié)構(gòu)尺寸,其功率密度可達(dá) 100 W/in³。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)?圖騰... (來源:技術(shù)文章頻道)
柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 開關(guān)電源 功率密度水平 2023-3-2 16:02
像許多電子領(lǐng)域一樣,進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前,在 3.3kW 開關(guān)電源 (SMPS)中,產(chǎn)品效率高達(dá) 98%,1U結(jié)構(gòu)尺寸,其功率密度可達(dá) 100 W/in³。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)?圖騰柱 PFC 級(jí)中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET(例如CoolMOS™),碳化硅 (SiC) MOSFET(例如 CoolSiC™),而且還... (來源:技術(shù)文章頻道)
柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源功率密度 2023-1-9 10:12
Infineon公司的2ED4820-EM是用于48V汽車應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器,具有功能強(qiáng)大的柵極輸出,能驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的多個(gè)MOSFET,以最大限度降低導(dǎo)通損耗.由于它的兩種柵極輸出,它支持背對(duì)背的配置,共源和共漏兩種結(jié)構(gòu).在共源極配置,一個(gè)柵極輸出能用來預(yù)充電大容性負(fù)載. 2ED4820-EM產(chǎn)生柵極輸出的電源,它是基于集成具有外接... (來源:解決方案頻道)
電源管理 汽車電子柵極驅(qū)動(dòng)器DC/DC轉(zhuǎn)換器 Infineon 2ED4820-EM 2022-3-1 15:33
Onsemi公司的NFAM2065L4B是全集成逆變器功率模塊,包括有獨(dú)立的高邊柵極驅(qū)動(dòng)器,六個(gè)IGBT和一個(gè)溫度傳感器(VTS),適合于驅(qū)動(dòng)永磁同步馬達(dá)(PMSM),無刷DC(BLDC)馬達(dá)和AC異步馬達(dá).IGBT配置成三相橋式,具有用于下臂的分立發(fā)射極連接,以獲得選擇控制算法的最大限度靈活性.功率級(jí)具有內(nèi)置欠壓鎖住保護(hù)(UVP),在高... (來源:解決方案頻道)
馬達(dá)控制 逆變器功率模塊 IGBTBLDC Onsemi NFAM2065L4B 2022-2-22 15:22
On Semi公司的NFAM5065L4B是全集成逆變器功率模塊,包括了單獨(dú)的高邊柵極驅(qū)動(dòng)器,LVIC,六個(gè)IGBT和一個(gè)溫度傳感器(TVS),適用腦于驅(qū)動(dòng)永磁同步(PMSM)馬達(dá),無刷DC(BLDC)馬達(dá)和交流異步馬達(dá).IGBT可配置成三相橋式,具有單獨(dú)發(fā)射極連接以用于選擇控制算法的有最大靈活性的低位腿.功率級(jí)具有欠壓鎖住保護(hù)(UVP),而... (來源:解決方案頻道)
工業(yè)自動(dòng)化馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IPM BLDCPMSM On Semi NFAM5065L4B 2021-10-11 16:41
ST公司的MASTERGAN1是先進(jìn)的功率系統(tǒng)級(jí)封裝,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅(qū)動(dòng)器很容易有集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅(qū)動(dòng)兩部分有UVLO保護(hù),從而阻止了功率開關(guān)工作在... (來源:解決方案頻道)
電源管理 GaN HEMT STMASTERGAN1 2021-6-15 16:30
ST公司的MASTERGAN4是先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率晶體管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔電壓和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)為 6.5 A而嵌入的高邊柵極驅(qū)動(dòng)器能和容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN4在低壓和高壓驅(qū)動(dòng)部分有UVLO保護(hù),以防止功率開關(guān)... (來源:解決方案頻道)
電源管理開關(guān)電源SMPS充電器和適配器DC/DC轉(zhuǎn)換器AC/AC轉(zhuǎn)換器 ST MASTERGAN4 2021-5-13 16:12
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