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2025年9月12日，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，并在全球首次構建了量產體系。 SK海力士表示：“公司成功開發將引領人工智能新時代的HBM4，并基于此技術成果，在全球首次構建了HBM4的量產體系。此舉再次向全球市場彰顯了公司在面向AI的存儲器技術領域的... （來源：新聞頻道）
SK海力士HBM4 2025-9-12 13:24
據臺媒《工商時報》報道稱，人工智能（AI）芯片大廠英偉達已經啟動下一代高帶寬內存HBM底層芯片（ Base Die）的自研計劃，并且未來英偉達無論需要家供應商的HBM，其底層的邏輯芯片都將采用英偉達的自研方案，預計首款產品將使用3nm制程打造，最快將于2027年下半年開始試產。 目前在HBM市場上，S... （來源：新聞頻道）
英偉達HBM Base Die3nm 2025-8-19 10:25
據外媒wccftech報道，蘋果2026年推出的iPhone 18 系列所搭載的A20系列處理器將首度采用臺積電2nm制程，并計劃由現行InFO 封裝轉向WMCM（晶圓級多芯片模組） 方案。此舉旨在通過封裝革新提升良率、減少材料消耗，緩解先進制程帶來的成本壓力。 相較于現行的InFO（整合扇出封裝）采用PoP（Package on ... （來源：新聞頻道）
2nmWMCM蘋果A20 2025-8-14 10:11
DigiKey B 站頻道成行業關注度最高官方賬號 DigiKey 是全球領先的電子元器件和自動化產品分銷商，DigiKey 將向 20 位幸運粉絲贈送禮包，慶祝 B 站賬號粉絲數突破 10 萬。 DigiKey 將向 20 位幸運參與者贈送禮包，慶祝其 B 站賬號粉絲數突破 10 萬。該頻道現已成為行業內關注度最高的官... （來源：新聞頻道）
DigiKey 2025-7-1 13:25
CES 展會盛大開幕，TCL 憑借創新科技和多元產品陣容成為焦點，在智能手機、平板電腦及智能連接設備領域展現出強勁實力，為全球消費者帶來諸多驚喜與全新科技體驗。 NXTPAPER 4.0技術：護眼視界的巔峰突破 TCL作為屏顯領域的領軍企業，自 2021 年推出 NXTPAPER 彩墨護眼顯示技術，其硬件級低藍... （來源：新聞頻道）
TCLCES 2025 2025-1-9 09:50
• 百事公司公布 2024 年亞太地區“綠色加速器項目”十佳入圍企業名單• 入圍企業分別來自中國、澳大利亞、新西蘭、越南、泰國及菲律賓等地，展示了亞太地區應對可持續發展挑戰的多樣化解決方案• 繼 2023 年首次成功舉辦，本屆項目申請數量近乎翻倍，影響力倍增百事公司正式公布第二屆... （來源：新聞頻道）
百事公司綠色加速器項目 2024-5-9 14:15
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）與領先的車規芯片企業芯馳科技面向智能座艙聯合開發出參考設計“REF66004”。該參考設計主要覆蓋芯馳科技的智能座艙SoC*1“X9M”和“X9E”產品，其中配備了羅姆的PMIC*2、SerDes IC*3和LED驅動器等產品。另外，還提供基于該參考設計的參考板“REF66004-... （來源：新聞頻道）
羅姆 芯馳科技 REF66004 智能座艙 2024-3-29 09:10
三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅持使用的非導電薄膜（NCF）技術。三位直接知情人士稱，三星已經發出了處理 MR-MUF 技術的設備采購訂單。“三星必須采取一些措施來提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技術對三星來說有點像是拋棄自尊心的決定... （來源：新聞頻道）
HBM 三星電子 MUF SK海力士 2024-3-13 14:26
據 TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試，該公司得出結論，MUF 不適用于高帶寬內存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用... （來源：新聞頻道）
MUF DRAM 內存 2024-3-4 14:35
在MWC24巴塞羅那期間，華為與沙特阿拉伯領先的電信和數字服務提供商Zain KSA簽署諒解備忘錄，共同推動5.5G技術應用。雙方希望通過簽署該諒解備忘錄，能夠基于“All in 5.5G”戰略，利用華為在5.5G領域（包括5.5G無線網、核心網和傳送網）的豐富經驗和創新技術解決方案，為個人和企業打造完整的智能解決... （來源：新聞頻道）
華為 Zain KSA 5．5G 2024-3-4 14:19
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